公开(公告)号：CN118591877A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202380019760.4

申请日：2023-03-13

Applicant: 日油株式会社 ,  高知县公立大学法人

Inventor： 藤村俊伸 ,  中里克己 ,  饭塚宗明 ,  佐藤享平 ,  川原村敏幸 ,  福江雅 ,  刘丽

IPC: H01L23/36 ,  B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  H01L23/12 ,  H05K1/05

Abstract: 本发明提供一种散热基板，其为金属材料以邻接于绝缘层的一个面的方式而设置的散热基板，所述金属材料的材质由铜或铜合金、或者铝或铝合金构成，且所述金属材料为厚度为0.2mm以上20mm以下的片形状，所述绝缘层由第一绝缘层与第二绝缘层构成，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层为含有互不相同的铝氧化物的金属氧化物层，所述第一绝缘层为厚度为0.01μm以上0.2μm以下且孔隙率为10%以下的金属氧化物层，所述第二绝缘层为厚度为0.3μm以上30μm以下且孔隙率为10%以下的金属氧化物层。该散热基板的散热性及绝缘性优异，并且金属材料与绝缘层的密合性优异，能够抑制加热时的翘曲。

公开(公告)号：CN117321755A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280033622.7

申请日：2022-08-23

Applicant: 日油株式会社

Inventor： 藤村俊伸 ,  中里克己 ,  饭塚宗明

IPC: H01L23/36

Abstract: 本发明为一种散热电路基板，其为在绝缘层的一个面上以邻接于该面的方式设置有金属材料，并在所述绝缘层的另一个面上设置有导电金属层的散热电路基板，所述金属材料的材质为铜或铜合金、或者铝或铝合金，并且所述金属材料为厚度为0.2mm以上20mm以下的片状，所述绝缘层为组成式AlxOyTz所表示的、厚度为0.2μm以上30μm以下、体积电阻率为1000GΩ·cm以上且孔隙率为10％以下的金属氧化物层。该散热电路基板的散热性及绝缘性优异。

公开(公告)号：CN119677894A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202480003739.X

申请日：2024-01-18

Applicant: 日油株式会社

Inventor： 佐藤享平 ,  藤村俊伸 ,  中里克己 ,  饭塚宗明

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31 ,  H01L21/368

Abstract: 本发明提供一种含有通式(1)：R1R2NCONH2所表示的化合物的化学气相沉积法用成膜助剂，式中的R1及R2各自独立地为氢原子、碳原子数为1~22的烃基、氨基或羟基。该化学气相沉积法用成膜助剂的提高成膜速度的效果优异，并且能够得到表面粗糙度较小的金属氧化物膜。