公开(公告)号：CN1332518A

公开(公告)日：2002-01-23

申请号：CN01117116.2

申请日：2001-04-26

Applicant: 日本精密电路株式会社

Inventor： 渡边伸一

IPC: H03F3/26 ,  H03F1/30

CPC classification number: H03F3/303 ,  H03F2203/45398 ,  H03F2203/45508

Abstract: 公开了一种放大器,其中提供在第二和第三放大器2和3正相输入端的电压值符合第二P沟道MOS晶体管Tr3和第二N沟道MOS晶体管Tr4源极和漏极之间的电压,由第一运算放大器1的输出信号经第二和第三放大器2和3驱动构成供电缓冲器4的第一P沟道MOS晶体管Tr1和N沟道MOS晶体管Tr2,因此可以从低电源电压中提供不受电源电压控制的空载电流,可以提供一种在宽电源电压范围内具有小的交叉失真的输出信号并改进其温度依赖性。

公开(公告)号：CN1167188C

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN01117116.2

申请日：2001-04-26

Applicant: 日本精密电路株式会社

Inventor： 渡边伸一

IPC: H03F3/26 ,  H03F1/30

CPC classification number: H03F3/303 ,  H03F2203/45398 ,  H03F2203/45508

Abstract: 公开了一种放大器，其中提供在第二和第三放大器2和3正相输入端的电压值符合第二P沟道MOS晶体管Tr3和第二N沟道MOS晶体管Tr4源极和漏极之间的电压，由第一运算放大器1的输出信号经第二和第三放大器2和3驱动构成供电缓冲器4的第一P沟道MOS晶体管Tr1和N沟道MOS晶体管Tr2，因此可以从低电源电压中提供不受电源电压控制的空载电流，可以提供一种在宽电源电压范围内具有小的交叉失真的输出信号并改进其温度依赖性。