-
公开(公告)号:CN1225435C
公开(公告)日:2005-11-02
申请号:CN03153414.7
申请日:2003-08-12
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
Abstract: 本发明提供一种陶瓷电子零件烧成用载置器,其特征在于,不仅基体材料厚的载置器,而且即使是薄壁化的场合,也能够恰当地防止反复使用引起的载置器的弯曲,以至于能够长期使用。本发明采用的实施方案是,对于在由陶瓷构成的基体材料上、具有以ZrO2为主要成分的被覆层的陶瓷电子零件烧成用载置器,在基体材料的载置面及其相反面设残余膨胀量不同的被覆层。
-
公开(公告)号:CN1235246C
公开(公告)日:2006-01-04
申请号:CN02146296.8
申请日:2002-10-21
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种陶瓷电子部件烘焙用放置架,其中在烘焙时,组成成分不与被烘焙体反应,并且也容易从放置架放置面侧使被烘焙体中的粘接剂挥发,可获得均匀的烘焙体,另外在自动化的烘焙步骤中,在收集烘焙后的制品时,不产生收集不良。本发明涉及在基材表面上具有涂敷层的陶瓷电子部件烘焙用放置架。该涂敷层具有算术平均粗糙度(Ra)与被烘焙体的厚度的比在1/20~1/65的范围内的表面粗糙度。
-
公开(公告)号:CN1219723C
公开(公告)日:2005-09-21
申请号:CN03149719.5
申请日:2003-08-06
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
IPC: C04B35/117 , C04B35/185 , B32B18/00
Abstract: 本发明涉及用烧成方法制造陶瓷电子零件时所使用的载置器。更详细地说,就是涉及具备以氧化铝、莫来石作为主要成分的陶瓷质基体的陶瓷电子零件烧成用载置器。本发明的目的是:提供一种可以得到均匀特性电子零件的陶瓷电子零件烧成用载置器,该载置器能满足对载置器的大型化和装载间隔的致密化以及烧成时间缩短的要求,同时能使载置在载置器上的所有的被烧成体与其载置位置无关而可以在均匀的温度下烧成。其解决方案是,对于具有由以氧化铝及莫来石为主要成分的陶瓷材料构成的基体和设置在基体上的防止与被烧成体反应的被覆层的陶瓷电子零件烧成用载置器,以使基体及被覆层的全部在20℃下的热传导率为2.7~15.0W/m·k的材料构成。
-
公开(公告)号:CN1480425A
公开(公告)日:2004-03-10
申请号:CN03149719.5
申请日:2003-08-06
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
IPC: C04B35/117 , C04B35/185 , B32B18/00
Abstract: 本发明涉及用烧成方法制造陶瓷电子零件时所使用的载置器。更详细地说,就是涉及具备以氧化铝、莫来石作为主要成分的陶瓷质基体的陶瓷电子零件烧成用载置器。本发明的目的是:提供一种可以得到均匀特性电子零件的陶瓷电子零件烧成用载置器,该载置器能满足对载置器的大型化和装载间隔的致密化以及烧成时间缩短的要求,同时能使载置在载置器上的所有的被烧成体与其载置位置无关而可以在均匀的温度下烧成。其解决方案是,对于具有由以氧化铝及莫来石为主要成分的陶瓷材料构成的基体和设置在基体上的防止与被烧成体反应的被覆层的陶瓷电子零件烧成用载置器,以使基体及被覆层的全部在20℃下的热传导率为2.7~15.0W/m·k的材料构成。
-
公开(公告)号:CN1482100A
公开(公告)日:2004-03-17
申请号:CN03153414.7
申请日:2003-08-12
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
Abstract: 本发明提供一种陶瓷电子零件烧成用载置器,其特征在于,不仅基体材料厚的载置器,而且即使是薄壁化的场合,也能够恰当地防止反复使用引起的载置器的弯曲,以至于能够长期使用。本发明采用的实施方案是,对于在由陶瓷构成的基体材料上、具有以ZrO2为主要成分的被覆层的陶瓷电子零件烧成用载置器,在基体材料的载置面及其相反面设残余膨胀量不同的被覆层。
-
公开(公告)号:CN1434470A
公开(公告)日:2003-08-06
申请号:CN02146296.8
申请日:2002-10-21
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种陶瓷电子部件烘焙用放置架,其中在烘焙时,组成成分不与被烘焙体反应,并且也容易从放置架放置面侧使被烘焙体中的粘接剂挥发,可获得均匀的烘焙体,另外在自动化的烘焙步骤中,在收集烘焙后的制品时,不产生收集不良。本发明涉及在基材表面上具有涂敷层的陶瓷电子部件烘焙用放置架。该涂敷层具有算术平均粗糙度(Ra)与被烘焙体的厚度的比在1/20~1/65的范围内的表面粗糙度。
-
-
-
-
-