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公开(公告)号：CN101172861A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710162290.X
申请日：2007-10-09
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
IPC: C04B35/565 , C04B35/78 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/565 , C04B35/78 , C04B2235/428 , C04B2235/5427 , C04B2235/5472 , Y10T428/249956 , Y10T428/249957 , Y10T428/249975 , Y10T428/249981
Abstract: 本发明提供一种即使形成厚壁形状也难于产生氧化劣化、破损等的Si－SiC质烧结体。一种Si－SiC质烧结体，含有作为骨材的许多碳化硅(SiC)粒子和作为粘合剂填充在上述碳化硅粒子间的空隙中的硅(Si)，其中，所述碳化硅粒子的最大粒径为0.5mm～6mm，所述硅的含量为5～40质量％，气孔率为0～5％。优选厚度为20～200mm的厚壁形状的Si－SiC质烧结体。
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公开(公告)号：CN101172861B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200710162290.X
申请日：2007-10-09
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
IPC: C04B35/565 , C04B35/78 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/565 , C04B35/78 , C04B2235/428 , C04B2235/5427 , C04B2235/5472 , Y10T428/249956 , Y10T428/249957 , Y10T428/249975 , Y10T428/249981
Abstract: 本发明提供一种即使形成厚壁形状也难于产生氧化劣化、破损等的Si-SiC质烧结体。一种Si-SiC质烧结体，含有作为骨材的许多碳化硅(SiC)粒子和作为粘合剂填充在上述碳化硅粒子间的空隙中的硅(Si)，其中，所述碳化硅粒子的最大粒径为0.5mm～6mm，所述硅的含量为5～40质量％，气孔率为0～5％。优选厚度为20～200mm的厚壁形状的Si-SiC质烧结体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100417625C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200610139235.4
申请日：2006-09-20
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
IPC: C04B35/565 , C04B35/66 , F27D3/12
Abstract: 本发明提供一种非氧化性气氛用窑具，主要成分为SiC与Si3N4和/或Si2N2O，并且含有氮氧化硅和氧化硅以外的无机氧化物0.12～3.0质量%。该窑具即使是在氧浓度为1000ppm以下的非氧化性氛围下，也能够防止强度显著劣化甚至破损，同时能够大幅度提高实际使用寿命。
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公开(公告)号：CN1935741A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610139235.4
申请日：2006-09-20
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK阿德列克株式会社
IPC: C04B35/565 , C04B35/66 , F27D3/12
Abstract: 本发明提供一种非氧化性气氛用窑具，主要成分为SiC与Si3N4和/或Si2N2O，并且含有氮氧化硅和氧化硅以外的无机氧化物0.12～3.0质量％。该窑具即使是在氧浓度为1000ppm以下的非氧化性氛围下，也能够防止强度显著劣化甚至破损，同时能够大幅度提高实际使用寿命。
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