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发明公开
光通信元件用基材、其制造方法及利用它的光通信元件无效

公开(公告)号：CN1745321A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200480003165.9

申请日：2004-08-04

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 俣野高宏 , 吉原聡

IPC: G02B6/00 , G02B6/10

Abstract: 本发明提供一种具有温度补偿技术所必需的负的热膨胀系数，且热膨胀磁滞小的光通信元件用基材、其制造方法及使用它的光通信元件。本发明的光通信元件用基材是一种在－40～+100℃下的平均热膨胀系数为－55～－120×10－7/℃，并由包含将β－石英固溶体或β－锂霞石固溶体作为主结晶的陶瓷或玻璃陶瓷构成的光通信元件用基材；其特征在于：在从－40℃到100℃进行1℃/分的升温，及从100℃到－40℃进行1℃/分的降温时，所产生的最大热膨胀磁滞未满12ppm。而且，本发明的光通信元件用基材的制造方法的特征在于：对基材交互各自进行多数次在20℃以上的温度下的高温处理和20℃以下的温度下的低温处理，且高温处理和低温处理的温度差为40～240℃。而且，本发明的光通信元件的特征在于：光通信元件用基材在从－40℃到100℃进行1℃/分的升温，及从100℃到－40℃进行1℃/分的降温时所产生的最大热膨胀磁滞未满12ppm。

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