公开(公告)号：CN1311351A

公开(公告)日：2001-09-05

申请号：CN01104252.4

申请日：2001-02-23

Applicant: 日本电气株式会社 ,  关东化学株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  渡边香织 ,  石川典夫 ,  森清人

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明提供一种去除剂,该去除剂包括(a)硝酸铈(Ⅳ)盐和(b)选自硝酸、高氯酸和乙酸构成的组中的至少一种酸。

公开(公告)号：CN1262523A

公开(公告)日：2000-08-09

申请号：CN00100658.4

申请日：2000-01-26

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 渡边香织

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02071 ,  H01L28/55

Abstract: 一种用于从硅基片开始生产半导体器件的工艺,该半导体器件具有一个电容器部分,该部分包含铂族金属电极和铁电膜,该工艺包含一个清洁步骤,用于通过使用清洁溶液清洁和去除粘附在(1)与铂族金属电极接触形成的硅－基绝缘膜上和(2)硅基片的背面上的由铂族金属引入的杂质,所述清洁溶液包含用于清除金属的化学溶液和非常少量的氢氟酸及螯合剂。此工艺可有效的去除掉由铂族金属引入的杂质并可防止已经被去除杂质的再次黏附。

公开(公告)号：CN101538716A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910132574.3

申请日：2001-02-23

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 青木秀充 ,  渡边香织 ,  石川典夫 ,  森清人

IPC: C23F1/30 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种含钌金属的去除剂及其使用方法，该去除剂包括(a)硝酸铈(IV)盐和(b)选自硝酸、高氯酸和乙酸构成的组中的至少一种酸。

公开(公告)号：CN101538716B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200910132574.3

申请日：2001-02-23

Applicant: 关东化学株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  渡边香织 ,  石川典夫 ,  森清人

IPC: C23F1/30 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种含钌金属的去除剂及其使用方法，该去除剂包括(a)硝酸铈(IV)盐和(b)选自硝酸、高氯酸和乙酸构成的组中的至少一种酸。

公开(公告)号：CN100491594C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN01104252.4

申请日：2001-02-23

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 青木秀充 ,  渡边香织 ,  石川典夫 ,  森清人

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明提供一种去除剂，该去除剂包括(a)硝酸铈(IV)盐和(b)选自硝酸、高氯酸和乙酸构成的组中的至少一种酸。