公开(公告)号：CN109476554A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780044445.1

申请日：2017-07-13

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 三矢耕平 ,  丹下秀夫 ,  堀田元树 ,  小川贵道

IPC: C04B37/00 ,  H01L21/683

Abstract: 降低接合温度、且抑制第1陶瓷构件与第2陶瓷构件的接合强度的降低。半导体制造装置用部件的制造方法包括如下工序：准备由以AlN为主成分的材料形成的第1陶瓷构件的工序；准备由以AlN为主成分的材料形成的第2陶瓷构件的工序；和，在第1陶瓷构件与第2陶瓷构件之间，以夹设有包含Eu2O3、Gd2O3和Al2O3的接合剂的状态进行加热加压，从而将第1陶瓷构件与第2陶瓷构件接合的工序。

公开(公告)号：CN118043292A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280066669.3

申请日：2022-10-13

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 堀田元树 ,  松冈誉幸 ,  小川贵道

IPC: C04B35/111 ,  C04B41/91 ,  H01L21/683

Abstract: 一种氧化铝质烧结体，其以氧化铝(Al2O3)为主成分，氧化镁(MgO)的含量相对于氧化铝的含量为0.00mol％

公开(公告)号：CN109476553A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780044335.5

申请日：2017-07-13

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 三矢耕平 ,  丹下秀夫 ,  堀田元树 ,  小川贵道

IPC: C04B37/00 ,  H01L21/683

Abstract: 抑制稀土氢氧化物的飞散、第1陶瓷构件与第2陶瓷构件的接合强度的降低。半导体制造装置用部件具备：第1陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；第2陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；和，接合层，其配置于前述第1陶瓷构件与前述第2陶瓷构件之间、且用于接合前述第1陶瓷构件和前述第2陶瓷构件，前述接合层包含化学式ABO3(其中，A为稀土元素，B为Al)所示的钙钛矿型氧化物，且不含仅具有稀土元素和氧的稀土单一氧化物。

公开(公告)号：CN109476555B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201780044497.9

申请日：2017-07-13

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 三矢耕平 ,  丹下秀夫 ,  堀田元树 ,  小川贵道

IPC: C04B37/00 ,  H01L21/683

Abstract: 本说明书中，公开了能抑制第1陶瓷构件与第2陶瓷构件的接合强度的降低的技术。半导体制造装置用部件具备：第1陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；第2陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；和，接合层，其配置于第1陶瓷构件与第2陶瓷构件之间、且用于接合第1陶瓷构件和第2陶瓷构件。接合层含有包含Gd和Al的复合氧化物、以及Al2O3，且不含AlN。

公开(公告)号：CN109476554B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201780044445.1

申请日：2017-07-13

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 三矢耕平 ,  丹下秀夫 ,  堀田元树 ,  小川贵道

IPC: C04B37/00 ,  H01L21/683

Abstract: 降低接合温度、且抑制第1陶瓷构件与第2陶瓷构件的接合强度的降低。半导体制造装置用部件的制造方法包括如下工序：准备由以AlN为主成分的材料形成的第1陶瓷构件的工序；准备由以AlN为主成分的材料形成的第2陶瓷构件的工序；和，在第1陶瓷构件与第2陶瓷构件之间，以夹设有包含Eu2O3、Gd2O3和Al2O3的接合剂的状态进行加热加压，从而将第1陶瓷构件与第2陶瓷构件接合的工序。

公开(公告)号：CN109476553B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201780044335.5

申请日：2017-07-13

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 三矢耕平 ,  丹下秀夫 ,  堀田元树 ,  小川贵道

IPC: B32B5/16 ,  H01L21/683 ,  C04B37/00

Abstract: 抑制稀土氢氧化物的飞散、第1陶瓷构件与第2陶瓷构件的接合强度的降低。半导体制造装置用部件具备：第1陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；第2陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；和，接合层，其配置于前述第1陶瓷构件与前述第2陶瓷构件之间、且用于接合前述第1陶瓷构件和前述第2陶瓷构件，前述接合层包含化学式ABO3(其中，A为稀土元素，B为Al)所示的钙钛矿型氧化物，且不含仅具有稀土元素和氧的稀土单一氧化物。

公开(公告)号：CN109476555A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780044497.9

申请日：2017-07-13

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 三矢耕平 ,  丹下秀夫 ,  堀田元树 ,  小川贵道

IPC: C04B37/00 ,  H01L21/683

Abstract: 本说明书中，公开了能抑制第1陶瓷构件与第2陶瓷构件的接合强度的降低的技术。半导体制造装置用部件具备：第1陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；第2陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；和，接合层，其配置于第1陶瓷构件与第2陶瓷构件之间、且用于接合第1陶瓷构件和第2陶瓷构件。接合层含有包含Gd和Al的复合氧化物、以及Al2O3，且不含AlN。