公开(公告)号：CN1183579C

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN00106012.0

申请日：2000-03-31

Applicant: 日本板硝子株式会社 ,  住友重机械工业株式会社

Inventor： 和田俊司 ,  矢川博士 ,  峰尾元久 ,  青木裕一 ,  筑后了治 ,  吉井明彦

IPC: H01L21/28 ,  C23C14/32 ,  G02F1/133

CPC classification number: C23C14/32 ,  C23C14/086

Abstract: 一种能够获得低电阻率和低膜压应力的透明导电膜制造方法和所得到的透明导电膜。所述的方法包括：将置于阳极相对位置的基片温度设置在30至130℃；由构成阴极的放电等离子体发生装置生成等离子束，将该等离子束引导到阳极，从而使容纳在阳极中的蒸发材料蒸发并使被蒸发材料的微粒离子化，由此在基片的表面上形成透明导电膜；再将该透明导电膜置于180至240℃的温度下进行热处理，热处理所进行的时间不低于30分钟。所形成的透明导电膜具有230μΩ·cm或更小的电阻率和0.35GPa或更低的膜压应力。

公开(公告)号：CN1637512A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410092335.7

申请日：2000-03-31

Applicant: 日本板硝子株式会社 ,  住友重机械工业株式会社

Inventor： 和田俊司 ,  矢川博士 ,  峰尾元久 ,  青木裕一 ,  筑后了治 ,  吉井明彦

IPC: G02F1/1335 ,  G02B1/10

CPC classification number: C23C14/32 ,  C23C14/086

Abstract: 一种能够获得低电阻率和低膜压应力的透明导电膜制造方法和所得到的透明导电膜。所述的方法包括：将置于阳极相对位置的基片温度设置在30至130℃；由构成阴极的放电等离子体发生装置生成等离子束，将该等离子束引导到阳极，从而使容纳在阳极中的蒸发材料蒸发并使被蒸发材料的微粒离子化，由此在基片的表面上形成透明导电膜；再将该透明导电膜置于180至240℃的温度下进行热处理，热处理所进行的时间至少为3分钟且低于30分钟。所形成的透明导电膜具有230μΩ·cm或更小的电阻率和0.35GPa或更低的膜压应力。

公开(公告)号：CN1269609A

公开(公告)日：2000-10-11

申请号：CN00106012.0

申请日：2000-03-31

Applicant: 日本板硝子株式会社 ,  住友重机械工业株式会社

Inventor： 和田俊司 ,  矢川博士 ,  峰尾元久 ,  青木裕一 ,  筑后了治 ,  吉井明彦

IPC: H01L33/00 ,  G02F1/133 ,  H01B5/14

CPC classification number: C23C14/32 ,  C23C14/086

Abstract: 一种能够获得低比电阻和低膜压应力的透明导电膜制造方法和所得到的透明导电膜。将置于阳极相对位置的基片温度设置在不高于130℃。由构成阴极的放电等离子体发生装置生成等离子束,将该等离子束引导到阳极,从而使容纳在阳极中的蒸发材料蒸发并使被蒸发材料的微粒离子化,由此在基片的表面上形成透明导电膜。再将该透明导电膜置于不低于180℃的温度下进行热处理。所形成的透明导电膜具有230μΩ·cm或更小的比电阻和0.35GPa或更低的膜压应力。