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公开(公告)号：CN103391942A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201280010570.8
申请日：2012-02-24
Applicant: 国立大学法人广岛大学 , 日本化药株式会社
IPC: C07D495/04 , C07C319/18 , C07C319/20 , C07C321/28 , C07C323/21 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0074 , C07C319/20 , C07D495/04 , C09B57/00 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1092 , H01L51/0558 , C07C321/28
Abstract: 本发明提供一种由式(1)表示的新型杂环化合物和具有包含上述化合物的半导体层的场效应晶体管。本发明还提供一种制造能够制造上述新型杂环化合物的中间体的方法。(在所述式中，R1和R2表示氢原子、C2～C16烷基、或芳基。然而，当R1各自独立地表示C2～C16烷基或芳基时，R2表示氢原子或各自独立地表示芳基；且当R1表示氢原子时，R2各自独立地表示芳基。)
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公开(公告)号：CN104650110B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410836711.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: C07D495/04 , C09D11/03 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0074 , C07C319/20 , C07D495/04 , C09B57/00 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1092 , H01L51/0558 , C07C321/28
Abstract: 本发明涉及新型杂环化合物、制造其中间体的方法及其用途。本发明提供一种由式(1)表示的新型杂环化合物和具有包含上述化合物的半导体层的场效应晶体管。本发明还提供一种制造能够制造上述新型杂环化合物的中间体的方法。(在所述式中，当R1各自独立地表示C2～C16烷基时，R2各自表示氢原子。)
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公开(公告)号：CN103391942B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280010570.8
申请日：2012-02-24
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: C07D495/04 , C07C319/18 , C07C319/20 , C07C321/28 , C07C323/21 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0074 , C07C319/20 , C07D495/04 , C09B57/00 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1092 , H01L51/0558 , C07C321/28
Abstract: 本发明提供一种由式(1)表示的新型杂环化合物和具有包含上述化合物的半导体层的场效应晶体管。本发明还提供一种制造能够制造上述新型杂环化合物的中间体的方法。(在所述式中，R1和R2表示氢原子、C2～C16烷基、或芳基。然而，当R1各自独立地表示C2～C16烷基或芳基时，R2表示氢原子或各自独立地表示芳基；且当R1表示氢原子时，R2各自独立地表示芳基)。
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公开(公告)号：CN104650110A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410836711.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: C07D495/04 , C09D11/03 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0074 , C07C319/20 , C07D495/04 , C09B57/00 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1092 , H01L51/0558 , C07C321/28
Abstract: 本发明涉及新型杂环化合物、制造其中间体的方法及其用途。本发明提供一种由式(1)表示的新型杂环化合物和具有包含上述化合物的半导体层的场效应晶体管。本发明还提供一种制造能够制造上述新型杂环化合物的中间体的方法。(在所述式中，当R1各自独立地表示C2～C16烷基时，R2各自表示氢原子)。
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