公开(公告)号：CN117192672A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310674389.7

申请日：2023-06-08

Applicant: 日东电工株式会社 ,  东曹株式会社

Inventor： 东慎太郎 ,  柳沼宽教 ,  中西贞裕 ,  长原一平 ,  北川贵裕 ,  藤井靖芳 ,  伊藤正泰 ,  小峰拓也

IPC: G02B5/30

Abstract: 本发明提供一种具有优异的外观、能够适合用于具有逆波长分散特性的相位差膜的制造的树脂膜及其制造方法、和使用了该树脂膜的相位差膜的制造方法。本发明的实施方式的树脂膜含有显示正的双折射的树脂和显示负的双折射的树脂，并且一个面与另一个面的折射率差满足下述式(I)。该折射率差≤|树脂膜的厚度×0.00001|(I)。

公开(公告)号：CN117192671A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310674226.9

申请日：2023-06-08

Applicant: 日东电工株式会社 ,  东曹株式会社

Inventor： 柳沼宽教 ,  中西贞裕 ,  东慎太郎 ,  长原一平 ,  北川贵裕 ,  藤井靖芳 ,  伊藤正泰 ,  小峰拓也

IPC: G02B5/30

Abstract: 本发明提供一种带相位差层的偏振片，其具备具有逆分散特性的相位差层，且能够抑制高温高湿环境下的外观不良的发生。本发明的实施方式的带相位差层的偏振片依次具备：起偏器；和含有纤维素系树脂和酯系树脂的相位差层。相位差层的Re(450)/Re(550)为0～1，相位差层的Re(550)为100nm～200nm，起偏器的吸收轴方向与所述相位差层的慢轴方向所成的角度为40°～50°或130°～140°。在相位差层中形成有纳米相分离结构。

公开(公告)号：CN116745865A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202280011091.1

申请日：2022-02-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 长原一平 ,  河野文彦

IPC: H01B5/14

Abstract: 本发明提供弯曲性及透明性两者均优异的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜依次具备第一透明导电层、基材及第二透明导电层，所述第一透明导电层包含金属纳米丝，所述第二透明导电层由金属氧化物构成。在一个实施方式中，构成上述第二透明导电层的金属氧化物为铟‑锡复合氧化物。

公开(公告)号：CN118625432A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410028942.4

申请日：2024-01-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 长原一平 ,  柳沼宽教

IPC: G02B5/30 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/13363

Abstract: 本发明提供从斜方向进行观察时具有优异防反射特性的光学层叠体。本发明实施方式的光学层叠体依次具有包含起偏器的偏振片、第一相位差层、以及第二相位差层。起偏器的吸收轴方向与第一相位差层的慢轴方向所成的角度θ1及起偏器的吸收轴方向与第二相位差层的慢轴方向所成的角度θ2满足下述关系(1)或(2)；第一相位差层的Nz1及第二相位差层的Nz2满足下述关系(3)或(4)。10°≤θ1≤20°且70°≤θ2≤80°…(1)70°≤θ1≤80°且10°≤θ2≤20°…(2)10°≤θ1≤20°时，0.3≤Nz1≤0.8、0.1≤Nz2≤1、且0.7≤Nz1+Nz2≤1.7…(3)70°≤θ1≤80°时，0.2≤Nz1≤0.7、0≤Nz2≤0.9、且0.3≤Nz1+Nz2≤1.3…(4)。

公开(公告)号：CN116018266A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202180054449.4

申请日：2021-08-31

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 长原一平 ,  长濑纯一 ,  桥本尚树

IPC: B32B27/06

Abstract: 本发明提供一种包含金属纳米线且电阻的均匀性优异的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜具备基材和配置于该基材的至少单侧的透明导电层，该基材的透明导电层侧的面是经表面处理的面，且该透明导电层包含金属纳米线。在一个实施方式中，上述透明导电层直接配置于上述基材。

公开(公告)号：CN114503224A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080069191.0

申请日：2020-09-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 长濑纯一 ,  桥本尚树 ,  长原一平

IPC: H01B13/30 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明提供制造即使包含金属纳米线、导电各向异性也小的透明导电性膜的方法。本发明的透明导电性膜的制造方法包括：涂布工序，该工序中一边运送长条状的基材，一边在该基材上涂布包含金属纳米线的透明导电层形成用组合物而形成涂布层；以及送风工序，该工序中对该涂布层进行送风而使该涂布层干燥，从而在该基材上形成透明导电层，该送风工序中的送风包含从该基材的涂布层面侧观察时为与基材的运送方向不同的方向的送风。

公开(公告)号：CN114467156A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202080069186.X

申请日：2020-09-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 长濑纯一 ,  长原一平

IPC: H01B13/30 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明提供制造即使包含金属纳米线、导电各向异性也小的透明导电性膜的方法。本发明的透明导电性膜的制造方法包括：涂布工序，该工序中一边运送长条状的基材，一边在该基材上涂布包含金属纳米线的透明导电层形成用组合物而形成涂布层；以及干燥工序，该工序中使该涂布层干燥而在该基材上形成透明导电层，该基材的表面的平均倾斜角θa为0.5°以上。