公开(公告)号：CN102177449B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN200980139892.0

申请日：2009-10-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 并森木尼日丁 ,  水岛洋明

IPC: G02B5/30 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02B5/3033 ,  B29D11/00644

Abstract: 本发明的碘系偏振薄膜的特征在于，其是使碘在高分子薄膜中吸附取向而成的碘系偏振薄膜，所述碘的含量在1.9～3重量％/2.85mm3的范围内，在单片透射率为43～45％的范围内时波长610nm的正交吸光度A2与波长480nm的正交吸光度A1之比(A2/A1)为1.16以下。

公开(公告)号：CN102177449A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200980139892.0

申请日：2009-10-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 并森木尼日丁 ,  水岛洋明

IPC: G02B5/30 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02B5/3033 ,  B29D11/00644

Abstract: 本发明的碘系偏振薄膜的特征在于，其是使碘在高分子薄膜中吸附取向而成的碘系偏振薄膜，所述碘的含量在1.9～3重量％/2.85mm3的范围内，在单片透射率为43～45％的范围内时波长610nm的正交吸光度A2与波长480nm的正交吸光度A1之比(A2/A1)为1.16以下。