公开(公告)号：CN117447936A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310920739.3

申请日：2023-07-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 秋山淳 ,  加藤友二 ,  植野大树

IPC: C09J7/38 ,  C09J133/10 ,  C09J133/08 ,  C09J11/06

Abstract: 本发明涉及半导体加工用压敏粘合片。提供一种耐溶剂性优异的半导体加工用压敏粘合片。所述半导体加工用压敏粘合片包括：由含有基础聚合物的压敏粘合剂组合物形成的压敏粘合剂层；和基材。所述压敏粘合剂组合物在23℃下在N,N‑二甲基丙酰胺溶液中浸渍1小时时的溶胀度SA为2.1倍以下。

公开(公告)号：CN110128958A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910107520.5

申请日：2019-02-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 加藤友二 ,  田中俊平

IPC: C09J7/24

Abstract: 本发明提供一种可用于隐形切割的切割带，该切割带不会对利用照相机进行的激光照射位置检测以及形成良好的改性层造成阻碍。本发明的切割带具备基材和配置于该基材的一侧的粘合剂层，在以最大亮度的55％作为阈值将从基材侧利用激光显微镜观察得到的亮度256色阶的灰度图像二值化为白色部分和黑色部分时，白色部分的面积相对于图像面积为80％以上。

公开(公告)号：CN117447937A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310921086.0

申请日：2023-07-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 加藤友二 ,  秋山淳 ,  植野大树

IPC: C09J7/38 ,  C09J133/10 ,  C09J133/08 ,  C09J133/14 ,  C09J11/06

Abstract: 本发明涉及半导体加工用压敏粘合片。提供一种对具有凹凸的被粘物的凹凸具有优异的追随性且锚固性优异的半导体加工用压敏粘合片。所述半导体加工用压敏粘合片包括由UV固化型压敏粘合剂形成的压敏粘合剂层，和基材。所述UV固化型压敏粘合剂包含基础聚合物、光聚合引发剂和磷酸酯系表面活性剂。

公开(公告)号：CN112521878A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010972313.9

申请日：2020-09-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 加藤友二

IPC: C09J7/25 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供耐热性优异、即使在经过了加热工序的情况下也具有优异的扩展性的粘合带。本发明的粘合带具备基材和配置于该基材的单侧的粘合剂层。该粘合带在150℃下进行30分钟工作台加热贴附后的拉伸剪切粘接强度为0.05N/20mm以下，并且伸长10％时的应力为15N以下。

公开(公告)号：CN111725122B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202010211027.0

申请日：2020-03-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 加藤友二

IPC: H01L21/683 ,  C09J7/24 ,  C09J7/22

Abstract: 提供即使用于包括溶剂清洗工序的半导体晶圆的制造的情况下，也能适当地保持晶圆、防止粘合剂的晶圆污染所导致的成品率降低的切割带。本发明的切割带具备：基材、和配置于该基材的单侧的粘合剂层，所述切割带用于包括溶剂清洗工序的半导体晶圆的制造方法。该粘合剂层的异丙醇溶出物为5mg以下。

公开(公告)号：CN111725122A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010211027.0

申请日：2020-03-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 加藤友二

IPC: H01L21/683 ,  C09J7/24 ,  C09J7/22

Abstract: 提供即使用于包括溶剂清洗工序的半导体晶圆的制造的情况下，也能适当地保持晶圆、防止粘合剂的晶圆污染所导致的成品率降低的切割带。本发明的切割带具备：基材、和配置于该基材的单侧的粘合剂层，所述切割带用于包括溶剂清洗工序的半导体晶圆的制造方法。该粘合剂层的异丙醇溶出物为5mg以下。