公开(公告)号：CN117238556A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310699637.3

申请日：2023-06-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 八仓崇大 ,  茂手木佑辅 ,  长濑纯一

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供能够以低成本且短时间内制造透明导电性膜的方法。本发明的透明导电性膜的制造方法包含：在基材的表面上涂饰金属纳米丝涂饰液的工序A；在基材的背面上涂饰金属纳米丝涂饰液的工序B；在工序A及工序B之后、在基材的表面上涂饰保护层形成用组合物的工序C；以及在基材的背面上涂饰保护层形成用组合物的工序D。

公开(公告)号：CN116705384A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310198230.2

申请日：2023-03-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 茂手木佑辅 ,  长濑纯一 ,  八仓崇大

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供制造在基材的两个面具备导电层的同时、这些导电层与基材的密合性也优异的透明导电性膜的方法。本发明的透明导电性膜的制造方法为具备基材、配置于所述基材的表面上的第一导电层、及配置于所述基材的背面上的第二导电层的透明导电性膜的制造方法，其依次包含以下工序：在所述基材的至少背面上实施表面改性处理而形成表面处理面的工序A；在所述基材的表面上形成第一导电层的工序B；以及在所述基材的背面上形成第二导电层的工序C。

公开(公告)号：CN116133842B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202180059017.2

申请日：2021-07-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 河野文彦 ,  八仓崇大

IPC: B32B7/025

Abstract: 提供一种透明导电性薄膜，其具有基材和透明导电层，即使该基材薄，机械特性也优异，且可表现优异的导电性。本发明的透明导电性薄膜具备：基材、和配置于该基材的至少一个面的第1透明导电层，在相较于该基材而言使该第1透明导电层成为外侧并以弯曲半径R(mm)弯折180°时，当该弯曲半径R(mm)与该基材的厚度T(mm)的关系处于0

公开(公告)号：CN117238555A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310696246.6

申请日：2023-06-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 八仓崇大 ,  河野文彦

IPC: H01B5/14

Abstract: 本发明提供无论基材的构成材料如何、弯曲性均优异的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜具备：基材；配置在所述基材的至少单侧上的导电层；以及配置在所述导电层的与所述基材相反侧上的保护层，所述导电层包含金属纳米丝，所述保护层的23℃下的剪切强度为150MPa以下。一个实施方式中，上述金属纳米丝为银纳米丝。

公开(公告)号：CN116133842A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202180059017.2

申请日：2021-07-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 河野文彦 ,  八仓崇大

IPC: B32B7/025

Abstract: 提供一种透明导电性薄膜，其具有基材和透明导电层，即使该基材薄，机械特性也优异，且可表现优异的导电性。本发明的透明导电性薄膜具备：基材、和配置于该基材的至少一个面的第1透明导电层，在相较于该基材而言使该第1透明导电层成为外侧并以弯曲半径R(mm)弯折180°时，当该弯曲半径R(mm)与该基材的厚度T(mm)的关系处于0