-
公开(公告)号:CN115864305A
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202211557667.2
申请日:2022-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H02H3/24
Abstract: 本发明公开了一种高精度欠压保护电路结构。所提供的高精度欠压保护电路,本发明的针对上电复位过程欠压保护输出状态进行了保护,采用上电复位电路控制整体欠压保护电路的状态;另外欠压保护输出电压采用专用电源VDD2,与欠压保护电路的电源VDD1隔离开,避免数字电路噪声对欠压保护电路的干扰;提高了欠压保护电路的可靠性和精度,可以广泛应用于各类高压集成电路及应用系统。