公开(公告)号：CN103578965A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210269511.4

申请日：2012-07-31

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 张新伟 ,  夏长奉 ,  李祥 ,  苏巍

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/3083

Abstract: 本发明公开了一种两种腐蚀深度的一次成形方法，包括采用具有横向腐蚀特性的腐蚀材料从多于一个入口处对腐蚀对象进行腐蚀。通过使用本发明，可以实现工艺流程的简化，提高效率，降低产生成本，还可能可以缩短生产时间。

公开(公告)号：CN103578965B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210269511.4

申请日：2012-07-31

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 张新伟 ,  夏长奉 ,  李祥 ,  苏巍

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/3083

Abstract: 本发明公开了一种两种腐蚀深度的一次成形方法，包括采用具有横向腐蚀特性的腐蚀材料从多于一个入口处对腐蚀对象进行腐蚀。通过使用本发明，可以实现工艺流程的简化，提高效率，降低产生成本，还可能可以缩短生产时间。

公开(公告)号：CN103776568A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201210395744.9

申请日：2012-10-18

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 张新伟 ,  夏长奉 ,  李祥 ,  苏巍

IPC: G01L1/18 ,  G01L9/06

CPC classification number: G01L9/0054 ,  G01L19/04

Abstract: 本发明公开了一种压力传感器，其包括硅杯、压敏电阻、绝缘层和金属膜。其中，所述硅杯包括位于该硅杯上部的感压膜和位于该硅杯侧边的支撑架；所述压敏电阻位于该硅杯的感压膜边界内；所述绝缘层覆盖于所述硅杯上表面；所述金属膜位于所述感压膜上方。利用金属具有热胀冷缩的特性，在感压膜上方放置金属膜，通过金属膜在温度升高时变长，迫使硅杯上感压膜发生更大变形来抵消或减少因使用温度升高使传感器输出信号减小的缺陷。