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公开(公告)号：CN105225938A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410242657.9
申请日：2014-06-03
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/30
Abstract: 本发明提供一种局部薄层硅的制作方法，所述方法包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底包括薄层硅区域和非薄层硅区域；在所述SOI衬底的表面上形成保护层；对所述保护层进行图案化，以去除所述薄层硅区域所对应的保护层；采用热氧化法在所述薄层硅区域内形成第一氧化层；去除所述第一氧化层，以在所述SOI衬底的表面形成浅槽；在所述浅槽的侧壁上形成阻挡侧墙；以及采用热氧化法在所述浅槽内形成第二氧化层。该制作方法可以在对薄层硅区域进行氧化的过程中控制形成的“鸟嘴”的长度，使其不会随着氧化层的厚度增加而变长，即，可以在减小薄层硅区域的厚度的同时，保持非薄层硅区域的有效面积不变，从而可以提高工艺的集成度。
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