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公开(公告)号：CN203014367U
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201220525515.X
申请日：2012-10-15
Applicant: 施耐德电器工业公司
IPC: H02H9/02
Abstract: 一种抑制输入冲击电流的电路装置，包括：MOSFET场效应管（M1），其源极连接到输入电压的正端子，带内阻的电压信号源给MOSFET场效应管提供门极驱动电压，电压信号源的正输出端连接输入电压的正端子，电压信号源负输出连接MOSFET场效应管的门极；总线储能电容器（C1），其正极连接到MOSFET场效应管（M1）的漏极，负极连接到输入电压的负端子；第二电阻器（R2），其一端连接到总线储能电容器（C1）的正极；以及光电耦合器（OP1），其内含的光电二极管的负极连接到第二电阻器（R2）的另一端，其内含的光电二极管的正极连接到输入电压的正端子，其内含的三极管的集电极连接到输入电压的正端子，其内含的三极管的发射极连接到MOSFET场效应管（M1）的门极。
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