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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1804728A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610004914.0
申请日：2006-01-12
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: G03G5/0685 , C07F7/1804 , G03G5/0605 , G03G5/0612 , G03G5/0616 , G03G5/0672 , G03G5/0674 , G03G5/0679 , G03G5/0681 , G03G5/0683
Abstract: 芳族含硅化合物具有下式：Ar－[X－L－SiRn(OR’)3－n]m其中Ar表示芳族基团，X表示二价或三价基团；L表示二价连接基团；R表示氢原子、烷基或芳基；R’表示烷基；n是0－2的整数；和m是1－5的整数。芳族含硅化合物可用于电子照相受光体，特别地用于这种电子照相受光体的最外保护层。
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公开(公告)号：CN100568106C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200610004914.0
申请日：2006-01-12
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: G03G5/0685 , C07F7/1804 , G03G5/0605 , G03G5/0612 , G03G5/0616 , G03G5/0672 , G03G5/0674 , G03G5/0679 , G03G5/0681 , G03G5/0683
Abstract: 芳族含硅化合物具有下式：Ar-[X-L-SiRn(OR’)3-n]m其中Ar表示芳族基团，X表示二价或三价基团；L表示二价连接基团；R表示氢原子、烷基或芳基；R’表示烷基；n是0-2的整数；和m是1-5的整数。芳族含硅化合物可用于电子照相受光体，特别地用于这种电子照相受光体的最外保护层。
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公开(公告)号：CN1896878A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101538.7
申请日：2006-07-11
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: G03G5/14773 , G03G5/14786
Abstract: 公开了具有交联聚硅氧烷组合物的硅氧烷外涂层(SOC)，该组合物包括全氟聚醚链段。聚硅氧烷组合物是SOC配制剂的水解和缩合产物，该配制剂包括全氟聚醚化合物、芳族含硅化合物和含硅空穴传输化合物。具有这种SOC层的电子照相成像元件具有改进的性能。
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公开(公告)号：CN1896878B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200610101538.7
申请日：2006-07-11
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: G03G5/14773 , G03G5/14786
Abstract: 公开了具有交联聚硅氧烷组合物的硅氧烷外涂层(SOC)，该组合物包括全氟聚醚链段。聚硅氧烷组合物是SOC配制剂的水解和缩合产物，该配制剂包括全氟聚醚化合物、芳族含硅化合物和含硅空穴传输化合物。具有这种SOC层的电子照相成像元件具有改进的性能。
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公开(公告)号：CN1716105A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510081143.0
申请日：2005-06-28
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: G03G5/0651 , G03G5/0609 , G03G5/0618 , G03G5/0637
Abstract: 光电导元件，包括支撑基片、光生层和电荷传输层，并且其中所述光生层包括光生组分和电子传输组分。
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