公开(公告)号：CN1701131B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200480000795.0

申请日：2004-05-25

Applicant: 新明和工业株式会社

Inventor： 能势功一 ,  笹川孝市 ,  古塚毅士 ,  泷川志朗 ,  小泉康浩

IPC: C23C14/12 ,  F21S8/10 ,  F21V7/22

CPC classification number: C23C14/205 ,  B05D1/62 ,  B05D5/068 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0089 ,  C23C14/352 ,  C23C14/562 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/509

Abstract: 本发明的成膜装置及方法是由HF电源(11)对背面配置有永久磁铁(10)的阴极(5)提供高频电压，使其产生反应模式的等离子体，使用该等离子体进行等离子体聚合成膜。又，调整真空室(1)内的等离子体源气体的压力，产生金属模式的等离子体而非反应模式的等离子体，使用该等离子体，使作为溅射靶的阴极(5)溅射，进行磁控溅射成膜。

公开(公告)号：CN1701131A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200480000795.0

申请日：2004-05-25

Applicant: 新明和工业株式会社

Inventor： 能势功一 ,  笹川孝市 ,  古塚毅士 ,  泷川志朗 ,  小泉康浩

IPC: C23C14/12 ,  F21S8/10 ,  F21V7/22

CPC classification number: C23C14/205 ,  B05D1/62 ,  B05D5/068 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0089 ,  C23C14/352 ,  C23C14/562 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/509

Abstract: 本发明的成膜装置及方法是由HF电源(11)对背面配置有永久磁铁(10)的阴极(5)提供高频电压，使其产生反应模式的等离子体，使用该等离子体进行等离子体聚合成膜。又，调整真空室(1)内的等离子体源气体的压力，产生金属模式的等离子体而非反应模式的等离子体，使用该等离子体，使作为溅射靶的阴极(5)溅射，进行磁控溅射成膜。