真空成膜装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1973059A

    公开(公告)日:2007-05-30

    申请号:CN200580020739.8

    申请日:2005-09-05

    Abstract: 本发明提供将圆筒构件的一部分作为靶使用,而且有意利用该圆筒构件附加等离子体聚合功能的的真空成膜装置。真空成膜装置(100)具备具有内部空间的导电性真空槽(13)、在内部空间(10)并排配置多个弯曲成扇形的弯曲构件(31、32),以此形成大致圆筒形从而形成的框体(15)、配置于被框体(15)包围的内部,沿着框体(15)的圆周方向形成磁场的磁场形成装置(33),弯曲构件(15、16)中的至少一个是使用于溅射的靶,而且是除了靶的框体(15)的区域外被使用于等离子体聚合的装置。

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