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公开(公告)号：CN118150269A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311622283.9
申请日：2023-11-30
Applicant: 新东工业株式会社
Inventor： 齐藤悠太 , 黑川敦贵 , 青木贯
IPC: G01N1/28
Abstract: 本发明提供一种制造不易产生测定偏差的残余奥氏体测定用基准片的技术。残余奥氏体测定用基准片的制造方法对金属部件的表面的至少一部分进行纳米结晶化后进行淬火和回火。
