公开(公告)号：CN119404395A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202380047490.8

申请日：2023-06-07

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 津田有三 ,  大野裕孝 ,  仓本大

IPC: H01S5/323 ,  H01L21/205 ,  H01S5/183

Abstract: 本发明的目的在于提供具有延长的使用寿命和高效率的垂直共振器型发光元件及其制造方法，其能够在确保载流子注入的高效率的同时抑制元件的使用寿命的任何降低。根据本发明的垂直共振器型发光元件包含Mg作为p型掺杂剂并包含具有其中Al组分不同的三个以上的AlGaN层层叠的结构的p型AlGaN层。当将通过SIMS在层厚方向的Al组分曲线上定义的p型AlGaN层从有源层侧依次划分为具有p型AlGaN层的1/10的层厚的第一区域、具有2/5的层厚的第二区域、以及具有1/2的层厚的第三区域时：由Al组分曲线示出的各区域之间在Al组分方面的大小关系为第一区域低于第三区域，第三区域进而又低于第二区域；由Mg浓度曲线示出的Mg浓度在p型AlGaN层的整个层厚内小于3×1019atoms/cm3；各区域之间在Mg浓度方面的大小关系为第一区域低于第二区域，第二区域进而又低于第三区域；第二区域的至少一部分中的Mg浓度为3×1018atoms/cm3以上；并且Mg浓度曲线在第二区域中具有峰值。