公开(公告)号：CN101283122A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200680037146.7

申请日：2006-08-08

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 加藤裕幸 ,  佐野道宏

IPC: C30B23/08 ,  C23C14/08 ,  C30B29/16

CPC classification number: C30B29/16 ,  C23C16/405 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明涉及氧化锌晶体，它的生长方法和发光器件的生产方法。ZnO晶体生长方法具有下述步骤：(a)制备具有能够生长暴露Zn极性平面的ZnO晶体的表面的基质；(b)在基质表面上通过交替重复富Zn条件期间和富O条件期间供给Zn和O；和(c)在步骤(b)供给Zn和O的同时在基质表面上供给导电型确定杂质。

公开(公告)号：CN101008080B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200610004759.2

申请日：2006-01-27

Applicant: 爱沃特株式会社 ,  斯坦雷电气株式会社

Inventor： 稻垣彻 ,  白幡孝洋 ,  横山敬志 ,  佐野道宏 ,  堀尾直史

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C30B25/14 ,  C30B28/14 ,  C30B29/16 ,  H01L21/20

Abstract: 提供一种成膜装置，在加热状态的处理基板(5)的表面上，使多种的原料气体发生反应而进行成膜，其中所述处理室(1)被分为加热室(1a)与反应室(1b)，在与露出在反应室(1b)的处理基板(5)相对的地方，在与反应室(1b)相连的状态下设置原料气体的排气管(7)，对所述处理基板(5)的表面，在分别独立的状态下提供各原料气体的供给口(11、12)，被配置成位于排气管(7)的外侧。由此在处理基板(5)的附近使原料气体发生反应，在处理基板(5)上形成良好的结晶成膜。本发明的成膜装置可以防止原料气体到达处理基板之前发生反应，使来自处理基板的辐射热的影响最小化，而且可以使反应室的气体的动作更有益于结晶成膜。

公开(公告)号：CN101283122B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200680037146.7

申请日：2006-08-08

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 加藤裕幸 ,  佐野道宏

IPC: C30B23/08 ,  C23C14/08 ,  C30B29/16

CPC classification number: C30B29/16 ,  C23C16/405 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明涉及氧化锌晶体，它的生长方法和发光器件的生产方法。ZnO晶体生长方法具有下述步骤：(a)制备具有能够生长暴露Zn极性平面的ZnO晶体的表面的基质；(b)在基质表面上通过交替重复富Zn条件期间和富O条件期间供给Zn和O；和(c)在步骤(b)供给Zn和O的同时在基质表面上供给导电型确定杂质。

公开(公告)号：CN101008080A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610004759.2

申请日：2006-01-27

Applicant: 爱沃特株式会社 ,  斯坦雷电气株式会社

Inventor： 稻垣彻 ,  白幡孝洋 ,  横山敬志 ,  佐野道宏 ,  堀尾直史

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C30B25/14 ,  C30B28/14 ,  C30B29/16 ,  H01L21/20

Abstract: 提供一种成膜装置，在加热状态的处理基板(5)的表面上，使多种的原料气体发生反应而进行成膜，其中所述处理室(1)被分为加热室(1a)与反应室(1b)，在与露出在反应室(1b)的处理基板(5)相对的地方，在与反应室(1b)相连的状态下设置原料气体的排气管(7)，对所述处理基板(5)的表面，在分别独立的状态下提供各原料气体的供给口(11、12)，被配置成位于排气管(7)的外侧。由此在处理基板(5)的附近使原料气体发生反应，在处理基板(5)上形成良好的结晶成膜。本发明的成膜装置可以防止原料气体到达处理基板之前发生反应，使来自处理基板的辐射热的影响最小化，而且可以使反应室的气体的动作更有益于结晶成膜。