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公开(公告)号：CN114207969B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202080056286.9
申请日：2020-07-15
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 本发明包括：第一多层膜反射器；第一电极，其是半透明的并且形成在所述第一多层膜反射器上；第一半导体层，其形成在所述第一电极上并具有第一导电层；发光层，其形成在所述第一半导体层上；第二半导体层，其形成在所述发光层上并且具有与所述第一导电层相反的第二导电类型；第二多层膜反射器，其形成在所述第二半导体层上，包括多个半导体膜，每个半导体膜具有第二导电类型，并且与所述第一多层膜反射器一起构成谐振器；半导体基板，其形成在所述第二多层膜反射器上，具有上表面和从所述上表面突出的突起，并且具有第二导电类型；以及第二电极，其形成在所述半导体基板的上表面上。
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公开(公告)号：CN114207969A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080056286.9
申请日：2020-07-15
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 本发明包括：第一多层膜反射器；第一电极，其是半透明的并且形成在所述第一多层膜反射器上；第一半导体层，其形成在所述第一电极上并具有第一导电层；发光层，其形成在所述第一半导体层上；第二半导体层，其形成在所述发光层上并且具有与所述第一导电层相反的第二导电类型；第二多层膜反射器，其形成在所述第二半导体层上，包括多个半导体膜，每个半导体膜具有第二导电类型，并且与所述第一多层膜反射器一起构成谐振器；半导体基板，其形成在所述第二多层膜反射器上，具有上表面和从所述上表面突出的突起，并且具有第二导电类型；以及第二电极，其形成在所述半导体基板的上表面上。
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