一种基于陶瓷GEM膜的密闭中子探测器及其制作方法

    公开(公告)号:CN112987078A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202110185496.4

    申请日:2021-02-10

    Abstract: 一种基于陶瓷GEM膜的密闭中子探测器及其制作方法,密闭中子探测器包括密闭的工作气室,在该工作气室内由下至上依次设置二维读出板、GEM层以及涂硼漂移极。其中GEM层包括两层耐高温陶瓷GEM膜,二维读出板由耐高温陶瓷绝缘薄膜制作而成。本申请采用两层耐高温陶瓷GEM膜,可以有效对电离电子进行雪崩放大,提高增益比,使所制作出的中子探测器具有良好的探测性能;同时,本申请利用陶瓷几乎不含氢元素、杂质气体少和耐高温等特点,使得制作出的中子探测器一方面对中子的散射吸收小,另一方面无需外接供气系统,可以形成密闭环境,减少外界环境对中子探测器性能的影响,同时可以节省成本,并且可以应用到一些恶劣场景如真空环境中。

    一种波移光纤弯折工艺
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112339250A

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN202011048810.6

    申请日:2020-09-29

    Abstract: 本发明公开了一种波移光纤弯折工艺,包括如下步骤:将波移光纤在预设温度加热水的水蒸气环境中加热第一预设时间;对加热第一预设时间后的波移光纤弯折,使得波移光纤的待弯折段沿波移光纤的待弯折部向波移光纤的平直段弯折第一预设角度;将弯折第一预设角度的波移光纤浸没至预设温度的加热水中第二预设时间;对浸没第二预设时间后的波移光纤继续弯折,使得波移光纤的待弯折段沿波移光纤的待弯折部向波移光纤的平直段继续弯折第二预设角度;将继续弯折第二预设角度后的波移光纤继续保持在预设温度的加热水中第三预设时间;对保持第三预设时间后的波移光纤在常温环境下静置第四预设时间。能够有效减小光损耗,且可实现更小的弯转半径。

    一种中子散射探测装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117191836A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311044722.2

    申请日:2023-08-18

    Abstract: 本发明属于中子散射谱仪技术领域,公开了一种中子散射探测装置,其包括主筒体和多个中子探测器,主筒体沿自身轴向方向相对的两侧分别可开合地设置有第一盖门和第二盖门,主筒体、第一盖门和第二盖门共同围合成透射腔,第一盖门和第二盖门上分别设置有第一透射窗和第二透射窗,中子束能经第一透射窗射入透射腔,并经第二透射窗射出;多个中子探测器沿主筒体的轴向方向间隔设置于透射腔内,中子探测器包括多个中子探测模块,多个中子探测模块共同形成供中子束穿过的第一穿设区域,第一透射窗和第二透射窗能够与多个第一穿设区域正对设置。本发明提供的中子散射探测装置,结构简单,能够覆盖多个不同散射角度范围,有效增加中子探测效率。

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