-
公开(公告)号:CN112147204B
公开(公告)日:2023-07-07
申请号:CN202011001576.1
申请日:2020-09-22
Applicant: 扬州工业职业技术学院
IPC: G01N27/416
Abstract: 本发明公开了一种毒死蜱分子印迹光电化学传感器及其制备方法,该光电化学传感器包括参比电极、辅助电极和工作电极,工作电极为分子印迹电极,分子印迹电极包括导电基体及负载于导电基体上的复合材料,复合材料为聚(3‑己基噻吩)修饰的碘氧化铋。制备上述光电化学传感器的制备方法,在导电基体表面通过涂覆和SILAR法制得BiOINFs/P3HT/ITO电极,通过将交联剂、功能单体、引发剂的混合溶剂滴涂到上述电极表面,经过加热聚合,去除模板分子毒死蜱,制得洗脱毒死蜱后的MIP/BiOINFs/P3HT/ITO电极。该传感器应用于水样中毒死蜱检测,具有较高的选择性识别能力、良好的再生性和稳定性,制作简单、便于携带。
-
公开(公告)号:CN112147204A
公开(公告)日:2020-12-29
申请号:CN202011001576.1
申请日:2020-09-22
Applicant: 扬州工业职业技术学院
IPC: G01N27/416
Abstract: 本发明公开了一种毒死蜱分子印迹光电化学传感器及其制备方法,该光电化学传感器包括参比电极、辅助电极和工作电极,工作电极为分子印迹电极,分子印迹电极包括导电基体及负载于导电基体上的复合材料,复合材料为聚(3‑己基噻吩)修饰的碘氧化铋。制备上述光电化学传感器的制备方法,在导电基体表面通过涂覆和SILAR法制得BiOINFs/P3HT/ITO电极,通过将交联剂、功能单体、引发剂的混合溶剂滴涂到上述电极表面,经过加热聚合,去除模板分子毒死蜱,制得洗脱毒死蜱后的MIP/BiOINFs/P3HT/ITO电极。该传感器应用于水样中毒死蜱检测,具有较高的选择性识别能力、良好的再生性和稳定性,制作简单、便于携带。
-
公开(公告)号:CN213875521U
公开(公告)日:2021-08-03
申请号:CN202022089299.6
申请日:2020-09-22
Applicant: 扬州工业职业技术学院
IPC: G01N27/416
Abstract: 本实用新型公开了一种石墨烯基毒死蜱分子印迹光电化学传感器,包括参比电极、辅助电极、工作电极,所述工作电极包括导电玻璃及负载于导电玻璃上的复合材料层,所述复合材料层为NH2‑MIL‑125(Ti)修饰的石墨烯。该传感器小型、便携、适于现场快速检测、灵敏度高。
-
-