一种毒死蜱分子印迹光电化学传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112147204B

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202011001576.1

    申请日:2020-09-22

    Abstract: 本发明公开了一种毒死蜱分子印迹光电化学传感器及其制备方法,该光电化学传感器包括参比电极、辅助电极和工作电极,工作电极为分子印迹电极,分子印迹电极包括导电基体及负载于导电基体上的复合材料,复合材料为聚(3‑己基噻吩)修饰的碘氧化铋。制备上述光电化学传感器的制备方法,在导电基体表面通过涂覆和SILAR法制得BiOINFs/P3HT/ITO电极,通过将交联剂、功能单体、引发剂的混合溶剂滴涂到上述电极表面,经过加热聚合,去除模板分子毒死蜱,制得洗脱毒死蜱后的MIP/BiOINFs/P3HT/ITO电极。该传感器应用于水样中毒死蜱检测,具有较高的选择性识别能力、良好的再生性和稳定性,制作简单、便于携带。

    一种毒死蜱分子印迹光电化学传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112147204A

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN202011001576.1

    申请日:2020-09-22

    Abstract: 本发明公开了一种毒死蜱分子印迹光电化学传感器及其制备方法,该光电化学传感器包括参比电极、辅助电极和工作电极,工作电极为分子印迹电极,分子印迹电极包括导电基体及负载于导电基体上的复合材料,复合材料为聚(3‑己基噻吩)修饰的碘氧化铋。制备上述光电化学传感器的制备方法,在导电基体表面通过涂覆和SILAR法制得BiOINFs/P3HT/ITO电极,通过将交联剂、功能单体、引发剂的混合溶剂滴涂到上述电极表面,经过加热聚合,去除模板分子毒死蜱,制得洗脱毒死蜱后的MIP/BiOINFs/P3HT/ITO电极。该传感器应用于水样中毒死蜱检测,具有较高的选择性识别能力、良好的再生性和稳定性,制作简单、便于携带。

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