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公开(公告)号：CN118745582A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410862910.4
申请日：2024-06-28
Applicant: 扬州大学
IPC: C25B11/093 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种PEM膜电极用超低Ir含量催化剂及其制备方法与应用。本发明的超低Ir含量催化剂氧演化反应活性高且稳定性好，性能显著优越于商用IrO2催化剂，且原料成本低，工艺简单，省时省能，无污染，可规模化生产。本发明中PEM膜电极用超低铱含量催化剂的制备方法，不仅降低了贵金属Ir的用量，而且提高了催化性能，有望实现Ir基催化剂产品迭代，促进PEM组件的降本增效。
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