公开(公告)号：CN112510148B

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202011421662.8

申请日：2020-12-08

Applicant: 扬州大学

Inventor： 尹彬沣 ,  王永志 ,  钱长成

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明公开了存储器技术领域内的一种阻变存储器及其制备方法，包括自下而上依次设置的底电极、介质层和顶电极，底电极为活性电极Ag、Cu或亲氧电极W、Ti、TiN中的一种，介质层包括至少一种氧化层和一种聚合物的薄膜，顶电极包括惰性电极Pt、Au或Pd中的一种；使用本发明制备出的阻变存储器开关比高，提高复位电压的均匀性。

公开(公告)号：CN111883656A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010952340.X

申请日：2020-09-11

Applicant: 国家纳米科学中心 ,  扬州大学

Inventor： 宫建茹 ,  王永志 ,  尹彬沣 ,  郭北斗

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了存储器技术领域内的一种忆阻器及其制备方法，包括自下而上依次设置的底电极、介质层和顶电极，底电极包括活性电极Ag、Cu或亲氧电极W、Ti、TiN中的一种，介质层包括为至少两种氧化层交替沉积的多层膜，顶电极包括惰性电极Pt、Au；使用本发明制备出的忆阻器能提高存储器的擦写速度并降低能耗。

公开(公告)号：CN111883656B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202010952340.X

申请日：2020-09-11

Applicant: 国家纳米科学中心 ,  扬州大学

Inventor： 宫建茹 ,  王永志 ,  尹彬沣 ,  郭北斗

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明公开了存储器技术领域内的一种忆阻器及其制备方法，包括自下而上依次设置的底电极、介质层和顶电极，底电极包括活性电极Ag、Cu或亲氧电极W、Ti、TiN中的一种，介质层包括为至少两种氧化层交替沉积的多层膜，顶电极包括惰性电极Pt、Au；使用本发明制备出的忆阻器能提高存储器的擦写速度并降低能耗。

公开(公告)号：CN112510148A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011421662.8

申请日：2020-12-08

Applicant: 扬州大学

Inventor： 尹彬沣 ,  王永志 ,  钱长成

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了存储器技术领域内的一种阻变存储器及其制备方法，包括自下而上依次设置的底电极、介质层和顶电极，底电极为活性电极Ag、Cu或亲氧电极W、Ti、TiN中的一种，介质层包括至少一种氧化层和一种聚合物的薄膜，顶电极包括惰性电极Pt、Au或Pd中的一种；使用本发明制备出的阻变存储器开关比高，提高复位电压的均匀性。