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公开(公告)号：CN102268638A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110188605.4
申请日：2011-07-07
Applicant: 扬州大学
Abstract: In、Nb共掺杂的ZnO基透明导电薄膜及其制备方法，该方法属于功能材料领域。靶材是由高纯In2O3、Nb2O5和ZnO粉末混合固相烧结的陶瓷靶。将In、Nb共掺杂ZnO的陶瓷靶和清洗过的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中，通过调节沉积工艺参数，利用脉冲激光沉积法在不同衬底上，制备出光电性能优良的In、Nb共掺杂的ZnO基透明导电薄膜。本发明简化了镀膜工艺，电子浓度可以可以通过调节靶材中的In、Nb含量控制；实现了多元金属阳离子在同一靶材上的同时掺杂；制备的In、Nb共掺杂的ZnO基透明导电薄膜具有优良的光电性能，电阻率为10-3-10-4Ω·cm，可见光平均透射率超过了87%。该方法所制备的透明导电薄膜在太阳能电池和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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