公开(公告)号：CN117080272A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311071792.7

申请日：2023-08-24

Applicant: 扬州大学

Inventor： 李金岚 ,  吴子恒

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种对称式沟槽JBS二极管及其制备方法，对称式沟槽JBS二极管包括N+衬底层，在N+衬底层的上表面设有N‑外延层，N‑外延层的上部设置成对称的阶梯式沟槽，阶梯式沟槽的上部为浅沟槽，下部为深沟槽，深沟槽的底部为P+区，P+区上表面设有欧姆接触图形，N‑外延层上表面除去P+区外设有肖特基接触图形，N‑外延层上部设有阳极，N+衬底层下部设有阴极。本发明设置对称式沟槽JBS结构，优化了器件的电场分布，增加了肖特基接触面积，在正向偏压时，电流可以从侧壁流入，有效地降低了正向压降，在反向偏压时，深势垒层有效地屏蔽了肖特基接触，有效地降低了反向漏电流，保证了器件的可靠性的同时降低了器件的损耗。

公开(公告)号：CN119805145A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411963422.9

申请日：2024-12-30

Applicant: 扬州大学

Inventor： 李金岚 ,  陈泉志 ,  朱磊 ,  董玲 ,  吴子恒

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅二极管抗浪涌电流能力的评估方法，通过晶圆测试阶段采集器件在不同温度下的反向I‑V特性数据。该技术根据漏电流随温度的变化率与器件浪涌峰值电流正相关，引入Frechet距离算法。评估流程中，根据额定浪涌电流设定判定阈值D_thresh，计算Frechet距离的总和D_total，通过比较D_total与D_thresh，即可对器件的抗浪涌电流能力做出准确评估。作为一种无损评估方法，本发明在晶圆测试阶段就能有效地筛选出具有高可靠性的器件，为器件的可靠性提供了一种解决方案，从而提高了产品质量的保障水平。