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公开(公告)号:CN101957375A
公开(公告)日:2011-01-26
申请号:CN201010295008.7
申请日:2010-10-15
Applicant: 扬州大学
IPC: G01N33/558 , G01N27/02 , G01N27/30
Abstract: 本发明涉及呋喃它酮残留物无标记的阻抗型免疫传感器,及其制备方法和应用,所说的该传感器通过金胶制备、金电极的预处理、1,4-苯二硫醇修饰金电极、单层纳米金胶的自组装和抗体的固定5个步骤而制得。其特征在于是将纳米金通过自组装方法固定于金电极表面,用来固定呋喃它酮残留物的单克隆抗体而构建得到。使用时,先建立阻抗的相对变化率%△Rct与AMOZ浓度的关系,再根据待测样品的阻抗相对变化率%△Rct就可确定其AMOZ浓度。采用本发明的传感器和检测方法具有快速简便的特点,解决当前呋喃它酮残留检测操作费时的缺陷。
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公开(公告)号:CN101957375B
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN201010295008.7
申请日:2010-10-15
Applicant: 扬州大学
IPC: G01N33/558 , G01N27/02 , G01N27/30
Abstract: 本发明涉及呋喃它酮残留物无标记的阻抗型免疫传感器,及其制备方法和应用,所说的该传感器通过金胶制备、金电极的预处理、1,4-苯二硫醇修饰金电极、单层纳米金胶的自组装和抗体的固定5个步骤而制得。其特征在于是将纳米金通过自组装方法固定于金电极表面,用来固定呋喃它酮残留物的单克隆抗体而构建得到。使用时,先建立阻抗的相对变化率%△Rct与AMOZ浓度的关系,再根据待测样品的阻抗相对变化率%△Rct就可确定其AMOZ浓度。采用本发明的传感器和检测方法具有快速简便的特点,解决当前呋喃它酮残留检测操作费时的缺陷。
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