一种半导体荧光材料掺锰硫化锌纳米粉的制备方法

    公开(公告)号:CN101391802A

    公开(公告)日:2009-03-25

    申请号:CN200810155070.9

    申请日:2008-11-03

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明涉及一种半导体荧光材料掺锰硫化锌纳米粉的制备方法。本发明按摩尔比1∶99或3∶97或5∶95分别称取乙酸锰和乙酸锌粉末,使Zn2+和Mn2+的总物质的量为0.01mol,将两种固体粉末混合加水溶解,配成200mL溶液;称取0.02mol二乙基二硫代氨基甲酸钠粉末加水溶解,配成200mL溶液;将两种溶液搅拌混合,将所得沉淀抽虑,得到前驱体Zn1-xMnx-2(DDTC)2,x为0.01或0.03或0.05;取1.0g前驱体Zn1-xMnx-(DDTC)2放在坩埚中,置于马弗炉中,在300℃下加热3小时,然后自然冷却至室温,即得到六方相的Zn1-xMnxS纳米粉。解决了操作复杂、能耗较高、颗粒大、晶体缺陷多,及浪费和污染大量的水或有机溶剂、周期长、产率低、成本高等缺陷。本发明具有原材料便宜、易得,工艺简单、能耗低、具有优异的半导体特性和荧光性能。

    六方相硫化镍亚微米晶的低温固相合成方法

    公开(公告)号:CN101186346A

    公开(公告)日:2008-05-28

    申请号:CN200710191468.3

    申请日:2007-12-19

    Applicant: 扬州大学

    Abstract: 本发明涉及一种六方相硫化镍亚微米晶的低温固相合成方法。本发明按醋酸镍和硫源的量分别为0.005mol和0.005~0.0075mol摩尔计量比,分别称取研磨后的醋酸镍和硫源的粉末,将两者置入坩埚中搅拌混合均匀;将盛有原料的坩埚放在马弗炉中,在350℃~400℃温度下反应3h后,自然冷却至室温,研磨后得到黑色粉末状六方相硫化镍亚微米晶。克服了各种方法存在的条件苛刻、能耗高、得率低、纯度差、设备昂贵、高温、催化剂、剧毒的H2S气体、有机溶剂处理困难、工业化困难、微乳液较难分离,污染环境等缺陷。本发明利用硫源上两个具有还原性基团-NH2做保护,结合升温过程中液固充分接触反应的优点,在空气中且低温条件下,用马弗炉加热直接合成了六方相NiS亚微米晶产品。

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