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公开(公告)号：CN118825774A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410678570.X
申请日：2024-05-29
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法；本发明公开了一种垂直腔面发射激光器，激光器的主体包括依次设有欧姆接触层、钝化层、P型分布布拉格反射镜组层、包层、有源区层、氧化限制层、N型分布布拉格反射镜组层、缓冲层、AlAs层和GaAs衬底层；本发明通过制备激光器主体、清洗、光刻、制备间隔槽、氧化限制层与钝化层、制备第一P型金属电极与第一N型金属电极、填充间隔槽、制备第二P型金属电极与第二N型金属电极、刻蚀GaAs衬底层并制备发光孔得到垂直腔面发射激光器；本发明解决了现有技术中单个芯片体积大、出光孔易污染及阈值大的问题，本发明具有工艺简单、重复性好、成品率高的优点。
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