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公开(公告)号：CN118590152B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411069002.6
申请日：2024-08-06
申请人： 成都威频科技有限公司
IPC分类号： H04B10/516 , H04B10/564 , H04B10/293
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公开(公告)号：CN118590008A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411069001.1
申请日：2024-08-06
申请人： 成都威频科技有限公司
摘要： 本发明涉及微波器件以及磁学领域，具体涉及是一种基于中心抽头YIG滤波器的无谐波振荡器，包括超宽带放大器、中心抽头YIG滤波器和偏置磁路，中心抽头YIG滤波器设置在由偏置磁路提供的磁场环境中，超宽带放大器连接中心抽头YIG滤波器的输入端，中心抽头YIG滤波器的输出端连接超宽带放大器的输入端，中心抽头YIG滤波器的抽头端作为整个振荡器的输出，YIG滤波器具有极高的带外抑制，YIG滤波器不存在二倍和三倍通频带的寄生通带，对超宽带放大器从输出端到中心抽头YIG滤波器的抽头端谐波具有极高的抑制，也对超宽带放大器的输入端到中心抽头YIG滤波器的抽头端反向泄露具有极高抑制，可以实现超宽带的无谐波振荡信号的产生。
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公开(公告)号：CN118352756A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410775428.7
申请日：2024-06-17
申请人： 成都威频科技有限公司
摘要： 本发明涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种可调带通滤波器，包括滤波器本体，所述滤波器本体可置于外置磁场环境中，其中所述滤波器本体包括上基板、中间壳体和下基板；中间壳体设于上基板和下基板间，中间壳体内设置有谐振腔，且谐振腔内设置有工作单元；上基板朝向中间壳体的一面光刻有上微带线路；下基板朝向中间壳体的一面光刻有下微带线路；工作单元、上微带线路等能耦合形成激励单元，利用平面微带线激励结构替代耦合金属环结构，设计简单，提高了器件的装配精度，并且在实际应用中，平面结构更易于集成小型化，利用带线激励YIG薄膜的方式形成了可调带通滤波器，不需要加工和焊接精细结构及小尺寸的金属环，实现了简化组装流程的效果。
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公开(公告)号：CN115863946B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310196469.6
申请日：2023-03-03
申请人： 成都威频科技有限公司
摘要： 本发明涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种高隔离度可调带通滤波器，包括滤波器本体，滤波器本体内设置有滤波器工作部，其中滤波器工作部内设置有多个谐振腔，每个谐振腔内设置有YIG薄膜结构，相邻的YIG薄膜结构通过带线传递信号，且用于接收微波信号的谐振腔和用于输出微波信号的谐振腔分别位于滤波器工作部内的两侧，其余谐振腔位于以上两个谐振腔之间，通过设置相互隔离的谐振腔，同时整个滤波器工作部内设置的谐振腔，且呈类蛇形排布，提高了输入输出端之间的隔离度，进而提高了滤波器的带外抑制，利用带线激励YIG薄膜的方式形成了可调带通滤波器，不需要加工和焊接精细结构及小尺寸的金属环，工艺人员在组装滤波器效率更高。
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公开(公告)号：CN115863946A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310196469.6
申请日：2023-03-03
申请人： 成都威频科技有限公司
摘要： 本发明涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种高隔离度可调带通滤波器，包括滤波器本体，滤波器本体内设置有滤波器工作部，其中滤波器工作部内设置有多个谐振腔，每个谐振腔内设置有YIG薄膜结构，相邻的YIG薄膜结构通过带线传递信号，且用于接收微波信号的谐振腔和用于输出微波信号的谐振腔分别位于滤波器工作部内的两侧，其余谐振腔位于以上两个谐振腔之间，通过设置相互隔离的谐振腔，同时整个滤波器工作部内设置的谐振腔，且呈类蛇形排布，提高了输入输出端之间的隔离度，进而提高了滤波器的带外抑制，利用带线激励YIG薄膜的方式形成了可调带通滤波器，不需要加工和焊接精细结构及小尺寸的金属环，工艺人员在组装滤波器效率更高。
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公开(公告)号：CN114826256A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210604301.X
申请日：2022-05-31
申请人： 成都威频科技有限公司
摘要： 一种线性调频连续波电路及实现方法，应用于导弹制导以及雷达测距测速电路中，连续波电路包括混频器模块U2，其第一输入端连接参考源模块U1，输出端连接滤波器模块U3；加法器模块U4，其第一个输入端连接滤波器模块U3，输出端连接VCO模块U5；耦合器模块U6，其输入端连接VCO模块U5，第一输出端作为信号输出Fo，第二输出端连接混频器模块U2的第二输入端；DAC模块U7，其输入端连接控制器模块U8，输出端连接加法器模块U4的第二输入端。本方案的相位噪声不受传统锁相环中的N分频器限制，拥有更低的相噪指标，并可将预置电压馈入到VCO中，加快环路锁定，也可以将三角波调制信号馈入到VCO中，生成线性调频连续波电路，电路简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN113540731B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111077742.0
申请日：2021-09-15
申请人： 成都威频科技有限公司
摘要： 一种YIG加载基片集成波导结构，包括：钆镓石榴石基片；形成于钆镓石榴石基片上下表面的钇铁石榴石薄膜；以及形成于钇铁石榴石薄膜表面的金属层；沿长度方向，金属层上两侧设有两排金属化过孔，两个金属层的金属化过孔一一对应且贯穿连通，金属化过孔通过金属填充；金属化过孔与金属层用于形成基片集成波导的波导腔，中间的钇铁石榴石薄膜及钆镓石榴石基片用于形成波导腔中的介质。实现了一种便于装配便于与平面电路集成的YIG平面器件，改进了基片集成波导结构，通过对加载YIG薄膜实现在基片集成波导截止频率之下激励起传导模式，通过在本发明的结构基础上通过进一步设计能实现更多形式的YIG调谐滤波器。
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公开(公告)号：CN113555653A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202111096039.4
申请日：2021-09-18
申请人： 成都威频科技有限公司
IPC分类号： H01P1/208
摘要： 一种高抑制带通滤波器，包括滤波器主体，滤波器主体包括：谐振腔；多个YIG基片，间隔设于谐振腔内，YIG基片包括GGG基片以及覆设于YIG基片两面的YIG薄膜；多个隔板，设于谐振腔内，相邻两个YIG基片之间有一个隔板，隔板与相邻两个YIG基片均具有预定间距，隔板中部具有矩形通孔，YIG基片的YIG薄膜正对矩形通孔设置；射频输入端，设于谐振腔一端，与靠近射频输入端的YIG基片的朝向射频输入端一面的YIG薄膜连接；射频输出端，设于谐振腔另一端，与靠近射频输出端的YIG基片的朝向射频输出端一面的YIG薄膜连接。通过谐振腔结构设计，以薄膜谐振子替代小球谐振子，实现一定频段范围中心频率可调，具有高带外抑制、高选择性，结构简单、易装配。
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公开(公告)号：CN118446033B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410905983.7
申请日：2024-07-08
申请人： 成都威频科技有限公司
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明涉及微波器件以及磁学领域，具体涉及是一种YIG器件动态特性仿真系统及仿真方法，包括磁芯材料模型、绕组模型、磁路模型和YIG器件模型，这样通过设置磁芯材料模型、绕组模型、磁路模型和YIG器件模型建立一种适用于YIG器件动态特性仿真的系统，其中通过绕组模型获得绕组电压#imgabs0#与绕组电流#imgabs1#之间的关系，然后通过磁路模型获得磁场强度#imgabs2#和绕组电流#imgabs3#之间的关系，接着通过磁芯材料模型获取磁场强度#imgabs4#与磁感应强度#imgabs5#之间的关系，最后通过YIG器件模型获取YIG器件的谐振频率#imgabs6#与磁感应强度#imgabs7#之间的关系，能够实现YIG器件快速仿真。
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公开(公告)号：CN118431704A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410893294.9
申请日：2024-07-04
申请人： 成都威频科技有限公司
摘要： 本发明涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种YIG薄膜滤波器，包括滤波单元，所述滤波单元内设置有基板、YIG薄膜单元和耦合共面波导单元，所述YIG薄膜单元设于基板一侧，所述耦合共面波导单元设于基板另一侧，其中所述YIG薄膜单元包括YIG薄膜和开口谐振环；开口谐振环设于YIG薄膜外侧，并环绕YIG薄膜一周；耦合共面波导单元包括共面波导接地导体和共面波导中心导体；相邻的所述耦合共面波导单元中的共面波导中心导体能通过YIG薄膜耦合，通过对每个耦合共面波导单元中共面波导中心导体之间的间距控制耦合量的大，实现方便的进行不同滤波器带宽设计的效果。
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