一种低插损射频开关电路

    公开(公告)号:CN118232900B

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202410644827.X

    申请日:2024-05-23

    IPC分类号: H03K17/687

    摘要: 本发明公开了一种低插损射频开关电路,属于射频开关和集成电路技术领域,包括ANT天线端隔直匹配网络、TX发射端隔直匹配网络以及RX接收端隔直匹配网络,并设置有ANT天线端口、TX发射端口以及RX接收端口,TX支路通过TX支路开关管网络实现通道导通和关断,RX支路通过RX串联电感网络、RX支路开关管网络和RX并联隔直网络实现通道导通和关断。本发明实现了ANT‑TX和ANT‑RX的单刀双掷射频开关功能,降低了ANT‑RX通道的开关插损,并且可以在没有负电压的情况下依靠等效负偏压偏置实现开关的高耐功率性能,解决了现有射频开关存在提高开关的功率处理能力的同时,不能保持或降低开关的插入损耗的问题。

    一种低插损射频开关电路

    公开(公告)号:CN118232900A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410644827.X

    申请日:2024-05-23

    IPC分类号: H03K17/687

    摘要: 本发明公开了一种低插损射频开关电路,属于射频开关和集成电路技术领域,包括ANT天线端隔直匹配网络、TX发射端隔直匹配网络以及RX接收端隔直匹配网络,并设置有ANT天线端口、TX发射端口以及RX接收端口,TX支路通过TX支路开关管网络实现通道导通和关断,RX支路通过RX串联电感网络、RX支路开关管网络和RX并联隔直网络实现通道导通和关断。本发明实现了ANT‑TX和ANT‑RX的单刀双掷射频开关功能,降低了ANT‑RX通道的开关插损,并且可以在没有负电压的情况下依靠等效负偏压偏置实现开关的高耐功率性能,解决了现有射频开关存在提高开关的功率处理能力的同时,不能保持或降低开关的插入损耗的问题。

    一种基于三级管限压的电压转换电路及方法

    公开(公告)号:CN118363424A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410116964.6

    申请日:2024-01-26

    IPC分类号: G05F3/26

    摘要: 本发明公开了一种基于三级管限压的电压转换电路及方法,属于集成电路技术领域,所述电压转换电路包括第一电压转换网络、第二电压转换网络、第一电阻限流网络、第二电阻限流网络、第三电阻电流网络、限压三极管网络以及电路开关网络。本发明采用三极管的二极管接法限制Gate端电压,利用电阻进行分压限流,有效解决了传统低压晶体管结构无法在高压下使用的情况,使得当前电路可以实现良好高供电电压的使用,同时还可以兼顾信号速度,具有耐高压、信号变化速率快等优点。

    一种低功耗发射多功能芯片

    公开(公告)号:CN114866039A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210791248.9

    申请日:2022-07-07

    IPC分类号: H03F1/02 H03F3/24 H04B1/04

    摘要: 本发明公开了一种低功耗发射多功能芯片,属于集成电路技术领域,包括低功耗本振网络、开关调制网络和自偏放大网络。本发明利用共源共栅振荡结构产生高质量本振信号,并且基于等效四分之一波长线的射频开关作为信号调制模块,可以降低插损,提高调制效率和速率,同时利用共源共栅放大结构可以提升调制信号的功率等级,从而使得整个多功能芯片具有高输出功率、高转换增益、高集成度和低功耗的特性。

    一种高线性数控衰减器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118554915A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410746526.8

    申请日:2024-06-11

    IPC分类号: H03H11/24

    摘要: 本发明公开了一种高线性数控衰减器,属于集成电路设计技术领域,包括衰减器,以及与所述衰减器连接的并管加开关结构;所述并管加开关结构包括第一开关管和第二开关管;所述第一开关管的漏极与所述衰减器的扩展端口连接,所述第一开关管的源极接地,所述第一开关管的栅极分别与第二开关管的漏极和第一电阻的一端连接,并作为所述高线性数控衰减器的第一开关管的控制输入端G端,所述第二开关管的源极接地,所述第二开关管的栅极与第二电阻的一端连接,所述第一电阻的另一端和第二电阻的另一端作物数控衰减器的控制输入端。本发明提供的高线性数控衰减器具有高线性和高精度的优点。

    一种改进型多管并联结构双平衡混频器

    公开(公告)号:CN118074630A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202311745162.3

    申请日:2023-12-18

    IPC分类号: H03D7/16 H03H7/42 H03H7/38

    摘要: 本发明公开了一种改进型多管并联结构双平衡混频器,包括第一巴伦、二极管混频网络、第二巴伦以及输出匹配网络;第一巴伦和第二巴伦分别将射频信号和本振信号转化为平衡信号并输入至二极管混频网络中;二极管混频网络将平衡信号进行分路及合路处理后,通过与第一巴伦抽头连接的输出匹配网络输出混频信号。本发明采用功分‑合路结构,提高了双平衡混频器的输出功率,使得双平衡混频器可以实现更高的线性度,同时不会因为增加二极管大小引起其他指标恶化,此外保留了双平衡混频器的优势,如节交调抑制好等,实现良好的功率输出能力良好的输入输出匹配特性,避免了二极管增大造成的不匹配以及性能恶化。

    一种低功耗发射多功能芯片

    公开(公告)号:CN114866039B

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202210791248.9

    申请日:2022-07-07

    IPC分类号: H03F1/02 H03F3/24 H04B1/04

    摘要: 本发明公开了一种低功耗发射多功能芯片,属于集成电路技术领域,包括低功耗本振网络、开关调制网络和自偏放大网络。本发明利用共源共栅振荡结构产生高质量本振信号,并且基于等效四分之一波长线的射频开关作为信号调制模块,可以降低插损,提高调制效率和速率,同时利用共源共栅放大结构可以提升调制信号的功率等级,从而使得整个多功能芯片具有高输出功率、高转换增益、高集成度和低功耗的特性。