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公开(公告)号：CN111490697B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202010066344.8
申请日：2020-01-20
申请人： 意法半导体国际有限公司
摘要： 本公开的实施例涉及具有动态耦合到漏极的本体的NMOS晶体管。一种电路包括逻辑电路和驱动器。该驱动器包括第一NMOS、PAD以及驱动器保护电路，第一NMOS具有耦合到逻辑电路的栅极和耦合到参考电压的源极，PAD耦合到第一NMOS的漏极。该驱动器保护电路包括第二NMOS和电阻器，第二NMOS具有通过电容器耦合到PAD的漏极、耦合到参考电压的源极以及耦合到电源电压的栅极，电阻器耦合在第二NMOS的漏极和第一NMOS的本体之间。当静电放电(ESD)事件升高相对于参考电压或电源电压的PAD处的电位时，电源电压转换为低电平，使得第二NMOS关断，导致第一NMOS的本体与参考电压隔离并且使用电容器将其本体与PAD耦合。
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公开(公告)号：CN111490697A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010066344.8
申请日：2020-01-20
申请人： 意法半导体国际有限公司
摘要： 本公开的实施例涉及具有动态耦合到漏极的本体的NMOS晶体管。一种电路包括逻辑电路和驱动器。该驱动器包括第一NMOS、PAD以及驱动器保护电路，第一NMOS具有耦合到逻辑电路的栅极和耦合到参考电压的源极，PAD耦合到第一NMOS的漏极。该驱动器保护电路包括第二NMOS和电阻器，第二NMOS具有通过电容器耦合到PAD的漏极、耦合到参考电压的源极以及耦合到电源电压的栅极，电阻器耦合在第二NMOS的漏极和第一NMOS的本体之间。当静电放电(ESD)事件升高相对于参考电压或电源电压的PAD处的电位时，电源电压转换为低电平，使得第二NMOS关断，导致第一NMOS的本体与参考电压隔离并且使用电容器将其本体与PAD耦合。
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公开(公告)号：CN211830608U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202020130380.1
申请日：2020-01-20
申请人： 意法半导体国际有限公司
摘要： 本公开的实施例涉及包括具有动态耦合到漏极的本体的NMOS晶体管的电路。一种电路包括逻辑电路和驱动器。该驱动器包括第一NMOS、PAD以及驱动器保护电路，第一NMOS具有耦合到逻辑电路的栅极和耦合到参考电压的源极，PAD耦合到第一NMOS的漏极。该驱动器保护电路包括第二NMOS和电阻器，第二NMOS具有通过电容器耦合到PAD的漏极、耦合到参考电压的源极以及耦合到电源电压的栅极，电阻器耦合在第二NMOS的漏极和第一NMOS的本体之间。当静电放电(ESD)事件升高相对于参考电压或电源电压的PAD处的电位时，电源电压转换为低电平，使得第二NMOS关断，导致第一NMOS的本体与参考电压隔离并且使用电容器将其本体与PAD耦合。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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