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公开(公告)号：CN109818584B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201811420195.X
申请日：2018-11-27
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Abstract: 本发明涉及用于功率放大器的宽带输入匹配和视频带宽电路。一种系统可包括射频(RF)放大器装置，所述射频(RF)放大器装置包括输入阻抗匹配网络以及第一基带去耦电路和第二基带去耦电路，所述第一和第二基带去耦电路可从在基带频率下输入到所述RF放大器装置的信号能量中去除互调失真产物。所述输入阻抗匹配网络可充当带通滤波器或低通滤波器。栅极偏压电压可通过所述基带去耦电路中的一个基带去耦电路或可替换地在所述RF放大器装置的输入节点处施加到所述RF放大器装置中的晶体管的栅极。
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公开(公告)号：CN106169913B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201610305891.0
申请日：2016-05-10
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Abstract: 装置包括多个陶瓷电容器和电流路径结构。第一陶瓷电容器包括在第一和第二电极之间的第一陶瓷材料。第二陶瓷电容器包括在第三和第四电极之间的第二陶瓷材料。所述第二陶瓷材料具有高于所述第一陶瓷材料的Q。所述电流路径结构包括定位在所述第一和第二陶瓷材料之间的横向导体，以及从所述横向导体的第一和第二端延伸到装置表面的第一和第二垂直导体。所述装置可耦合到封装射频放大器装置的基板，所述封装射频放大器装置还包括晶体管。举例来说，所述装置可形成耦合在所述晶体管的电流载送终端与所述射频放大器装置的输出导线之间的输出阻抗匹配电路的部分。
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公开(公告)号：CN110504922A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910411913.5
申请日：2019-05-17
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Abstract: 本公开涉及宽带功率晶体管装置和放大器及其制造方法。RF放大器和封装RF放大器装置的实施例各自包括具有相对低的漏极-源极电容的晶体管、输出阻抗匹配电路和谐波终止电路。阻抗匹配电路包括谐波终止电路，所述谐波终止电路包括串联耦合于晶体管输出与接地参考节点之间的第一电感(第一多个键合线)和第一电容。来自串联的第一电感元件和第一电容的组合的等效电容使所述漏极-源极电容有效地增加至少10％。阻抗匹配电路还包括串联耦合于晶体管输出与所述接地参考节点之间的第二电感(第二多个键合线)和第二电容，其中所述第二电感和所述第二电容直接连接。所述第一电容和所述第二电容可以是集成无源装置中的金属-绝缘体-金属电容器。
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公开(公告)号：CN109818584A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811420195.X
申请日：2018-11-27
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Abstract: 本发明涉及用于功率放大器的宽带输入匹配和视频带宽电路。一种系统可包括射频(RF)放大器装置，所述射频(RF)放大器装置包括输入阻抗匹配网络以及第一基带去耦电路和第二基带去耦电路，所述第一和第二基带去耦电路可从在基带频率下输入到所述RF放大器装置的信号能量中去除互调失真产物。所述输入阻抗匹配网络可充当带通滤波器或低通滤波器。栅极偏压电压可通过所述基带去耦电路中的一个基带去耦电路或可替换地在所述RF放大器装置的输入节点处施加到所述RF放大器装置中的晶体管的栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108206677B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201711385702.6
申请日：2017-12-20
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Abstract: 一种RF放大器包括晶体管、并联电路、包络频率终端电路以及外加引线。所述并联电路耦合在晶体管载流端与接地参考节点之间。所述并联电路具有串联耦合的并联电感元件和并联电容器，其中所述并联电感元件与所述并联电容器之间具有RF冷点节点。所述包络频率终端电路耦合在所述RF冷点节点与所述接地参考节点之间。所述包络频率终端电路具有串联耦合的包络电阻器、包络电感元件和包络电容器。所述外加引线电耦合到所述RF冷点节点。所述外加引线提供与由所述包络电感元件提供的包络电感并联的引线电感。另外的并联电容器可耦合在所述外加引线与接地之间。
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公开(公告)号：CN112953415A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011441349.0
申请日：2020-12-08
Applicant: 恩智浦美国有限公司
IPC: H03F3/189
Abstract: RF放大器和封装RF放大器装置的实施例各自包括具有晶体管管芯的放大路径，以及具有T型匹配电路拓扑的输出侧阻抗匹配电路。所述输出侧阻抗匹配电路包括连接在晶体管输出端与准RF冷点节点之间的第一电感元件(例如，第一键合线)，连接在所述准RF冷点节点与所述放大路径的输出之间的第二电感元件(例如，第二键合线)，以及连接在所述准RF冷点节点与接地参考节点之间的第一电容。所述RF放大器和装置还包括连接到所述准RF冷点节点的基带终止电路，所述基带终止电路包括串联耦合在所述准RF冷点节点与所述接地参考节点之间的包络电阻器、包络电感器和包络电容器。
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公开(公告)号：CN112751535A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011141607.3
申请日：2020-10-22
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Abstract: 本发明涉及具有输入侧分数谐波谐振器电路的RF放大器。一种射频放大器包括晶体管、输入阻抗匹配电路(例如，单段式T匹配电路和多段式带通电路)以及分数谐波谐振器电路。所述输入阻抗匹配电路耦合于放大路径输入与晶体管输入端之间。所述分数谐波谐振器电路的输入耦合到所述放大路径输入，并且分数谐波谐振器电路的输出耦合到所述晶体管输入端。所述分数谐波谐振器电路被配置成以介于所述RF放大器的基本操作频率与所述基本频率的二次谐波之间的谐振频率谐振。根据另外的实施例，所述分数谐波谐振器电路以所述基本频率的分数x谐振，其中所述分数介于约1.25与约1.9之间(例如，x≈1.5)。
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公开(公告)号：CN110504923A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910416905.X
申请日：2019-05-17
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Inventor： 朱宁 , 杰弗里·史潘塞·罗伯茨 , 达蒙·G·霍尔默斯 , 杰弗里·凯文·琼斯
Abstract: RF放大器和封装RF放大器装置的实施例各自包括具有相对低的漏极-源极电容的晶体管、输入阻抗匹配电路和输入侧谐波终止电路。所述输入阻抗匹配电路包括谐波终止电路，所述谐波终止电路进而包括串联耦合于晶体管输出与接地参考节点之间的第一电感(第一多条键合线)和第一电容。所述输入阻抗匹配电路还包括第二电感(第二多条键合线)、第三电感(第三多条键合线)以及以T形匹配配置耦合于输入引线与晶体管输入之间的第二电容。所述第一电容和所述第二电容可以是集成无源装置中的金属-绝缘体-金属电容器。
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