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公开(公告)号：CN115428156A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202080099435.X
申请日：2020-03-31
Applicant: 微软技术许可有限责任公司
Abstract: 侧栅半导体‑超导体混合器件。一方面提供了半导体‑超导体混合器件，包括衬底(310)、布置在衬底(310)上的第一半导体部件(312)、布置成能够提供与第一半导体部件进行能级杂化的超导体部件(316)、以及被布置为用于选通第一半导体部件的栅极电极的第二半导体部件(321a)。另一方面提供了一种半导体‑超导体混合器件，包括：衬底；半导体部件，布置在衬底上；栅极电极，用于选通半导体部件；以及超导体部件，能够与半导体部件进行能级杂化；其中栅极电极布置在衬底中的通道中。还提供了制造半导体‑超导体混合器件的方法。
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