用于光纤的卤素共掺杂的纤芯和光纤的制造方法

    公开(公告)号:CN112805253A

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN201980065826.7

    申请日:2019-08-01

    Abstract: 一种形成光纤的方法,其包括:在1.5atm至40atm的压力下,将烟炱纤芯预制件暴露于掺杂剂气体,所述烟炱纤芯预制件包含二氧化硅,所述掺杂剂气体包含第一卤素掺杂前体和第二卤素掺杂前体,所述第一卤素掺杂前体以第一卤素掺杂剂对烟炱纤芯预制件进行掺杂,以及所述第二卤素掺杂前体以第二卤素掺杂剂对烟炱纤芯预制件进行掺杂;以及对烟炱纤芯预制件进行烧结以形成经卤素掺杂的闭孔体,所述经卤素掺杂的闭孔体的所述第一卤素掺杂剂和所述第二卤素掺杂剂的总浓度是至少2.0重量%。

    耐弯曲损耗的多模光纤
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104160310B

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN201280065935.7

    申请日:2012-10-31

    Abstract: 一种渐变折射率多模光纤,包括:(a)二氧化硅纤芯,其掺杂有氧化锗和包含P2O5或F或B2O3中的一者的至少一种共掺杂剂,所述纤芯延伸至最外侧纤芯半径r1并具有双α,α1;(b)围住纤芯并偏离所述纤芯的低折射率内包层;(c)围住内包层并与内包层接触的外包层,以使内包层的至少与所述纤芯偏离的区域具有比外包层更低的折射率。在中心线的中心氧化锗浓度CGe1大于或等于0,并且在r1处的纤芯中最外侧氧化锗浓度CGe2大于或等于0。纤芯在中心线处具有大于或等于0的中心共掺杂剂浓度Cc‑d1以及在r1处的最外侧共掺杂剂浓度Cc‑d2,其中Cc‑d2大于或等于0。

    低直径光纤
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111650686A

    公开(公告)日:2020-09-11

    申请号:CN202010269587.1

    申请日:2014-04-08

    Abstract: 具有大的模场直径和低弯曲损耗的小半径的经涂覆的光纤。经涂覆的光纤可具有小于或等于110μm的外半径,同时提供大于或等于9.0μm的模场直径,以及当绕着15mm的心轴缠绕时,波长1550nm处小于或等于0.5dB/km的弯曲损耗。经涂覆的光纤可具有大于或等于9.2μm的模场直径,绕着15mm的心轴缠绕时,波长1550nm处小于或等于0.5dB/圈的弯曲损耗,或者绕着20mm的心轴缠绕时,波长1550nm处小于或等于0.25dB/km的弯曲损耗,或者绕着30mm的心轴缠绕时,波长1550nm处小于或等于0.02dB/km的弯曲损耗。所述第一涂层的原位模量小于或等于0.50Mpa,所述第二涂层的原位模量大于或等于1500MPa。

    具有黏度匹配的纤芯和内包覆层的低衰减光纤

    公开(公告)号:CN106536434B

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN201580034235.5

    申请日:2015-06-22

    Abstract: 一种单模光纤,其所含纤芯由二氧化硅和小于或等于约6.5重量%的氧化锗制成,且具有最大相对折射率Δ1最大。该光纤还具有包围纤芯的内包覆层,该内包覆层具有最小相对折射率Δ2最小。纤芯的软化点与内包覆层的软化点之差小于或等于约20℃,且Δ1最大>Δ2最小。该单模光纤还可具有由二氧化硅或SiON制成的包围内包覆层的外包覆层。该外包覆层具有最大相对折射率Δ3最大,且Δ3最大>Δ2最小。制造光纤的方法包括向第一炉提供预制件,预制件,由该预制件拉制光纤,并且在第二炉中冷却拉制的光纤。

    复合导光板
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108603652A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201780011051.6

    申请日:2017-02-10

    CPC classification number: C03C3/087 C03C3/091 C03C3/093 G02B6/00

    Abstract: 用于制造导光板和包括这种导光板的背光单元的化合物、组合物、制品、装置和方法,所述导光板由玻璃和塑料的复合结构制成。在一些实施方式中,所提供的复合导光板(LGP)的光学性质类似或优于由PMMA制成的导光板的光学性质,并且相比于PMMA导光板,具有优异的机械性质,例如刚性、CTE和高湿条件下的尺寸稳定性。

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