公开(公告)号：CN100524642C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200710006221.X

申请日：2002-12-12

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 阿杰·M·乔希 ,  贝·曼·阿格尼丝·额 ,  詹姆斯·A·施廷纳特 ,  乌萨马·达杜 ,  贾森·里吉斯

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01J37/3266 ,  H01L21/31116

摘要： 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包含：一基板；第一和第二栅极结构位于该基板上，该第一和第二栅极结构由小于约0.25微米的缺口所分隔；一氮化硅层位于该栅极结构和该缺口之上；一掺杂氧化层位于该氮化硅层之上；及一未掺杂氧化层位于该掺杂氧化层之上。

公开(公告)号：CN1996559A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200710006221.X

申请日：2002-12-12

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 阿杰·M·乔希 ,  贝·曼·阿格尼丝·额 ,  詹姆斯·A·施廷纳特 ,  乌萨马·达杜 ,  贾森·里吉斯

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01J37/3266 ,  H01L21/31116

摘要： 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包含：一基板；第一和第二栅极结构位于该基板上，该第一和第二栅极结构由小于约0.25微米的缺口所分隔；一氮化硅层位于该栅极结构和该缺口之上；一掺杂氧化层位于该氮化硅层之上；及一未掺杂氧化层位于该掺杂氧化层之上。

公开(公告)号：CN1605117B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN02824978.X

申请日：2002-12-12

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 阿杰·M·乔希 ,  贝·曼·阿格尼丝·额 ,  詹姆斯·A·施廷纳特 ,  乌萨马·达杜 ,  贾森·里吉斯

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01J37/3266 ,  H01L21/31116

摘要： 一种蚀刻半导体和介电质基板的方法和装置，是利用具有化学式CaFb的第一气体和具有化学式CxHyFz的第二气体的混合为主的等离子体，其中a/b≥2/3，且其中x/z≥1/2。此混合气体可在磁性增强反应式离子反应室中维持较低或中间程度的等离子体密度以提供绝佳角落镀层选择性，光刻胶层选择性，底部镀层选择性，及外部轮廓和底部特征尺寸控制的工艺。第一和第二气体的分配比例可在蚀刻时加以改变以提供蚀刻未掺杂氧化层薄膜或在此类薄膜上提供蚀刻中止的等离子体。

公开(公告)号：CN1605117A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN02824978.X

申请日：2002-12-12

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 阿杰·M·乔希 ,  贝·曼·阿格尼丝·额 ,  詹姆斯·A·施廷纳特 ,  乌萨马·达杜 ,  贾森·里吉斯

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01J37/3266 ,  H01L21/31116

摘要： 一种蚀刻半导体和介电质基板的方法和装置，是利用具有化学式CaFb的第一气体和具有化学式CxHyFz的第二气体的混合为主的等离子体，其中a/b≥2/3，且其中x/z≥1/2。此混合气体可在磁性增强反应式离子反应室中维持较低或中间程度的等离子体密度以提供绝佳角落镀层选择性，光刻胶层选择性，底部镀层选择性，及外部轮廓和底部特征尺寸控制的工艺。第一和第二气体的分配比例可在蚀刻时加以改变以提供蚀刻未掺杂氧化层薄膜或在此类薄膜上提供蚀刻中止的等离子体。