公开(公告)号：CN108573849A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810191162.6

申请日：2018-03-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·阮 ,  Y·萨罗德维舍瓦纳斯 ,  X·Y·常

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了用于在等离子体腔室的串接处理区域中处理基板的方法和设备。在一个示例中，设备被体现为等离子体腔室，等离子体腔室包括具有第一腔室侧部和第二腔室侧部的腔室主体，第一腔室侧部具有第一处理区域，第二腔室侧部具有第二处理区域。腔室主体具有前壁和底壁。第一腔室侧部端口、第二腔室侧部端口和真空端口穿过底壁设置。真空端口是处理区域中的每一者的排气路径的至少一部分。真空壳体从前壁延伸，并且限定真空端口的第二部分。基板支撑件设置在处理区域中的每一者中，并且杆耦接到每个基板支撑件。每个杆延伸穿过腔室侧部端口。

公开(公告)号：CN115863136A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202310106533.7

申请日：2018-03-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·阮 ,  Y·萨罗德维舍瓦纳斯 ,  X·Y·常

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了用于在等离子体腔室的串接处理区域中处理基板的方法和设备。在一个示例中，设备被体现为等离子体腔室，等离子体腔室包括具有第一腔室侧部和第二腔室侧部的腔室主体，第一腔室侧部具有第一处理区域，第二腔室侧部具有第二处理区域。腔室主体具有前壁和底壁。第一腔室侧部端口、第二腔室侧部端口和真空端口穿过底壁设置。真空端口是处理区域中的每一者的排气路径的至少一部分。真空壳体从前壁延伸，并且限定真空端口的第二部分。基板支撑件设置在处理区域中的每一者中，并且杆耦接到每个基板支撑件。每个杆延伸穿过腔室侧部端口。

公开(公告)号：CN108573849B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201810191162.6

申请日：2018-03-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·阮 ,  Y·萨罗德维舍瓦纳斯 ,  X·Y·常

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了用于在等离子体腔室的串接处理区域中处理基板的方法和设备。在一个示例中，设备被体现为等离子体腔室，等离子体腔室包括具有第一腔室侧部和第二腔室侧部的腔室主体，第一腔室侧部具有第一处理区域，第二腔室侧部具有第二处理区域。腔室主体具有前壁和底壁。第一腔室侧部端口、第二腔室侧部端口和真空端口穿过底壁设置。真空端口是处理区域中的每一者的排气路径的至少一部分。真空壳体从前壁延伸，并且限定真空端口的第二部分。基板支撑件设置在处理区域中的每一者中，并且杆耦接到每个基板支撑件。每个杆延伸穿过腔室侧部端口。

公开(公告)号：CN209298062U

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201820319046.3

申请日：2018-03-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·阮 ,  Y·萨罗德维舍瓦纳斯 ,  X·Y·常

IPC: H01J37/32

Abstract: 本实用新型涉及用于处理基板的设备。提供了用于在等离子体腔室的串接处理区域中处理基板的方法和设备。在一个示例中，设备被体现为等离子体腔室，等离子体腔室包括具有第一腔室侧部和第二腔室侧部的腔室主体，第一腔室侧部具有第一处理区域，第二腔室侧部具有第二处理区域。腔室主体具有前壁和底壁。第一腔室侧部端口、第二腔室侧部端口和真空端口穿过底壁设置。真空端口是处理区域中的每一者的排气路径的至少一部分。真空壳体从前壁延伸，并且限定真空端口的第二部分。基板支撑件设置在处理区域中的每一者中，并且杆耦接到每个基板支撑件。每个杆延伸穿过腔室侧部端口。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利