公开(公告)号：CN116711082A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180090981.1

申请日：2021-10-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 本切基·梅巴基 ,  李正周 ,  侯文婷 ,  仓见隆 ,  艾弗里•V•劳格特 ,  雷建新 ,  吴立其 ,  雷蒙德·霍伊曼·亨 ,  河泰泓 ,  唐先敏

IPC: H01L29/45

Abstract: 一种半导体装置的接触堆叠结构包括：源极/漏极区；在源极/漏极区上方的金属硅化物层；直接在金属硅化物层上的金属帽层；及在金属帽层上的导体。一种方法包括：在基板的结构中沉积金属硅化物层；在金属硅化物层的沉积之后且在没有空气中断的情况下，直接在金属硅化物层上制备金属帽层；及在金属帽层上沉积导体。

公开(公告)号：CN117015841A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202180089956.1

申请日：2021-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 罗祎 ,  陶荣 ,  吴立其 ,  刘明特 ,  李正周 ,  艾弗里•V•劳格特

IPC: H01L21/285

Abstract: 一种用于形成半导体装置的导电结构的方法，包括在介电层中形成的特征(例如过孔)中沉积回流材料。高熔点材料沉积于特征中，且在大于300C的温度下于包含氢分子、氢离子及氢自由基中的一或多者的周围环境中回流且退火，以用回流材料填充特征。