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公开(公告)号：CN112255854B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202011228335.0
申请日：2020-11-06
Applicant: 广西大学
IPC: G02F1/1524
Abstract: 本发明涉及电致变色器件技术领域，更具体的说，涉及一种锌离子驱动二氧化钛电致变色器件及其制备方法。器件为钨掺杂二氧化钛纳米晶薄膜/锌片/钨掺杂二氧化钛纳米晶薄膜的三明治结构，构筑了锌基电致变色器件，器件性能优异。制备方法，包括钨掺杂二氧化钛溶液的制备；形成钨掺杂二氧化钛薄膜(6)，封装；将硫酸锌电解液注入所述容纳空间内。硫酸锌电解液中的锌离子在电场驱动下，嵌入/脱出钨掺杂二氧化钛薄膜，从而实现器件变色功能，工艺简单。
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公开(公告)号：CN110564415B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910696317.6
申请日：2019-07-30
Applicant: 广西大学
Abstract: 本发明涉及制备用于发光二极管、太阳能电池等光电子器件的掺杂半导体纳米材料技术领域，特别涉及一种协同增强Mn:CsPbCl3纳米晶紫外辐射稳定性和光学性能的方法，包括以下步骤：1)油酸铯溶液的制备；2)Sn前驱体的制备；3)将氯化锰、氯化铅和步骤2)中Sn前驱体连同十八烯、油酸、油胺和三辛基膦一起装入三颈烧瓶中其中，Sn前驱体、氯化锰、以及氯化铅中的Mn/Pb的摩尔比为1/1；Sn/Pb的摩尔比小于1/1；将步骤4)中的透明溶液升温至150～250℃，量取步骤1)中的溶液加入步骤3)的透明溶液中，搅拌，用冰浴降温，获得Sn掺杂Mn:CsPbCl3纳米晶；该方法不仅有效提高Mn:CsPbCl3纳米晶的抗紫外辐照性能，并且提升了Mn:CsPbCl3纳米晶的发光性能。
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公开(公告)号：CN112852413A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110022645.5
申请日：2021-01-08
Applicant: 广西大学
IPC: C09K11/61 , C09K11/66 , C07C211/01 , C07C209/00 , C07C209/86 , C07D213/73 , C07D295/023 , C07D295/027 , H01L33/50
Abstract: 本发明公开了含锰钙钛矿可调谐发光材料及其制备方法和应用，所述材料的基体为含锰钙钛矿材料，通过不同制备方法获得，即可通过改变钙钛矿ABX3上的有机胺分子的大小和种类、数量、材料主体组分，或者改变处理温度、甚至是吸附水来调控其组成、微结构或电子态，实现发光行为调控，实现调谐其发光波长和发光效率。本发明制得的含锰钙钛矿可调谐发光材料结晶性好，结构稳定，制备过程简便，可快速大量合成，发光效率高；这类材料发光颜色可调，其制成的LED可实现510nm的宽带绿光、550nm的宽带黄绿色、600nm橙黄色、640nm红色以及超宽带白色调谐发射，在照明、显示、投影、LED及荧光探针等诸多领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111500283A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010333910.7
申请日：2020-04-24
Applicant: 广西大学
Abstract: 本发明涉及量子点技术领域，更具体的说，涉及一种胶体Mn掺杂CdInS量子点的制备方法，包括如下步骤：S1：S前驱体溶液的配备；S2：Zn前驱体溶液的制备；S3：将乙酸锰、醋酸铟、乙酸镉、正十二硫醇、油胺、1-十八稀加入到三颈瓶中反应；S4：将步骤1中的S前驱体溶液注入到步骤3中；S5：将步骤2获得的Zn前驱体溶液加入到步骤4中；S6：将步骤5中的量子点原液，保留上层溶液；S7：在步骤6保留的上层溶液中加入丙酮直到出现絮状，然后离心和沉淀，获得沉淀物；将得到的沉淀物溶解到氯仿中，即获得ZnS包壳的胶体Mn掺杂CdInS量子点。该方法所制备的量子点为稳定的胶体状态，而且荧光性能优异。
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公开(公告)号：CN115029134A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210600157.2
申请日：2022-05-27
Applicant: 广西大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氯化铝辅助制备高效Mn掺CsPbCl3纳米晶的方法，通过将碳酸铯和油酸加入到1‑十八烯中得到油酸铯前驱体溶液；将不同量的辅助掺杂剂氯化铝、不同量的掺杂剂氯化锰、氯化铅、三正辛基膦、油酸和油胺加入到1‑十八烯中，真空条件下加热后转为在保护气体下加热，然后和碳酸铯前驱体溶液混合，反应得到不同光学性能的Mn掺杂CsPbCl3纳米晶。本发明可以实现在氯化锰量不变的情况下改变Mn的实际掺杂浓度，改变氯化锰的量并调控加入的氯化铝量，在最优值下可以有效的提高纳米晶的光学性能，其中发光效率可达80±5％，是目前一步合成Mn掺杂CsPbCl3纳米晶的最大值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115029134B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210600157.2
申请日：2022-05-27
Applicant: 广西大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氯化铝辅助制备Mn掺CsPbCl3纳米晶的方法，通过将碳酸铯和油酸加入到1‑十八烯中得到油酸铯前驱体溶液；将不同量的辅助掺杂剂氯化铝、不同量的掺杂剂氯化锰、氯化铅、三正辛基膦、油酸和油胺加入到1‑十八烯中，真空条件下加热后转为在保护气体下加热，然后和碳酸铯前驱体溶液混合，反应得到不同光学性能的Mn掺杂CsPbCl3纳米晶。本发明可以实现在氯化锰量不变的情况下改变Mn的实际掺杂浓度，改变氯化锰的量并调控加入的氯化铝量，在最优值下可以有效的提高纳米晶的光学性能，其中发光效率可达80±5％，是目前一步合成Mn掺杂CsPbCl3纳米晶的最大值。
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公开(公告)号：CN117401711A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311593969.X
申请日：2023-11-27
Applicant: 广西大学
Abstract: 本申请涉及一种制备Mn掺杂CsPbBr3纳米线的方法。该方法包括：1)将油酸铯前驱体溶液注入到混合液A中，离心得到的沉淀物分散在油相溶剂中，获得CsPbBr3纳米线晶籽溶液；2)将CsPbBr3纳米线晶籽溶液注入混合液B中，形成Mn掺杂CsPbBr3纳米线，冷却后离心取沉淀物。其中，混合液A是将十八烯、油酸、油胺与溴化铅混合后加热，直至溴化铅充分溶解后降温制得；混合液B是将十八烯与溴化锰混合，在惰性气体环境下加热制得。该方法在Ostwald成熟度最小化的情况下为掺杂剂提供足够的热能，在不使用强腐蚀性酸的条件下使掺杂剂扩散到晶体内部，同时保持纳米线的形状各向异性和整体尺寸均匀性，能够获得直径超小的纳米线，是目前合成Mn掺杂CsPbBr3纳米线的有效方法。
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公开(公告)号：CN118125497A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410088177.5
申请日：2024-01-22
Applicant: 广西大学
IPC: C01G21/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/032 , H01L31/101
Abstract: 本申请涉及一种CsPbBr3纳米片材料的制备方法和应用。该方法包括：将碳酸铯、油酸和油相溶剂混合，并在惰性气体保护下，搅拌加热至溶液澄清，得到铯前驱体溶液；将十八烯、油酸、油胺和溴化铅混合，加热至溴化铅完全溶解，然后降温至22℃，得到混合澄清溶液；将所述铯前驱体溶液注入到所述混合澄清溶液中，在22℃温度下保持10秒，加入异丙醇和乙炔二羧酸，10秒后加热至100℃并保持10分钟，将反应温度冷却至室温，离心清洗，留取沉淀物，制得所述CsPbBr3纳米片材料。该应用是所述CsPbBr3纳米片材料在制备光电探测器中的应用。本申请能够提高CsPbBr3纳米片在蓝光的发光效率和稳定性，以及提高基于CsPbBr3纳米片的光电探测器的性能。
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公开(公告)号：CN112255854A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011228335.0
申请日：2020-11-06
Applicant: 广西大学
IPC: G02F1/1524
Abstract: 本发明涉及电致变色器件技术领域，更具体的说，涉及一种锌离子驱动二氧化钛电致变色器件及其制备方法。器件为钨掺杂二氧化钛纳米晶薄膜/锌片/钨掺杂二氧化钛纳米晶薄膜的三明治结构，构筑了锌基电致变色器件，器件性能优异。制备方法，包括钨掺杂二氧化钛溶液的制备；形成钨掺杂二氧化钛薄膜(6)，封装；将硫酸锌电解液注入所述容纳空间内。硫酸锌电解液中的锌离子在电场驱动下，嵌入/脱出钨掺杂二氧化钛薄膜，从而实现器件变色功能，工艺简单。
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公开(公告)号：CN110564415A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910696317.6
申请日：2019-07-30
Applicant: 广西大学
Abstract: 本发明涉及制备用于发光二极管、太阳能电池等光电子器件的掺杂半导体纳米材料技术领域，特别涉及一种协同增强Mn:CsPbCl3纳米晶紫外辐射稳定性和光学性能的方法，包括以下步骤：1)油酸铯溶液的制备；2)Sn前驱体的制备；3)将氯化锰、氯化铅和步骤2)中Sn前驱体连同十八烯、油酸、油胺和三辛基膦一起装入三颈烧瓶中其中，Sn前驱体、氯化锰、以及氯化铅中的Mn/Pb的摩尔比为1/1；Sn/Pb的摩尔比小于1/1；将步骤4)中的透明溶液升温至150～250℃，量取步骤1)中的溶液加入步骤3)的透明溶液中，搅拌，用冰浴降温，获得Sn掺杂Mn:CsPbCl3纳米晶；该方法不仅有效提高Mn:CsPbCl3纳米晶的抗紫外辐照性能，并且提升了Mn:CsPbCl3纳米晶的发光性能。
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