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公开(公告)号：CN118866489A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411210198.6
申请日：2024-08-30
申请人： 广州方邦电子股份有限公司 , 珠海达创电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜电阻及电路板。其中，薄膜电阻包括：层叠设置的第一导电层和第一电阻层；所述第一导电层与所述第一电阻层接触的面为粗化表面，通过限定第一导电层的晶体粒径和第一电阻层的粗糙度，使薄膜电阻具有较为稳定的电阻特性，可以适应于高频线路板中，产生较小的寄生电容、寄生电感和寄生电阻，具有较高的自振频率响应，抑制薄膜电阻在高频电路中的阻值漂移。
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公开(公告)号：CN118741997A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411041859.7
申请日：2024-07-31
申请人： 广州方邦电子股份有限公司 , 珠海达创电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种电磁屏蔽罩及电路板。电磁屏蔽罩包括：第一屏蔽层和第一连接层；所述第一连接层设置于所述第一屏蔽层的一侧，所述第一连接层用于将所述第一屏蔽层固定设置于线路板表面；所述第一屏蔽层通过所述第一连接层与线路板的地层电连接，和/或，所述第一屏蔽层邻近所述第一连接层的表面设置有第一凸起，所述第一凸起穿过所述第一连接层与线路板的地层电连接；所述电磁屏蔽罩的接地电阻R与所述第一屏蔽层的厚度D1满足如下关系式：R＝A*D12‑B*D1+C，其中，A的范围为0.04‑0.2，B的范围为12‑37，C的范围为258‑1232。本发明实施例可以提高电磁屏蔽罩的电磁屏蔽性能。
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公开(公告)号：CN118647133A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410821009.2
申请日：2024-06-24
申请人： 广州方邦电子股份有限公司 , 珠海达创电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种复合金属箔、覆金属层叠板、芯片及电路板。所述复合金属箔包括：功能层；基底层，所述基底层的相对两侧分别为第一侧面与第二侧面，所述第二侧面与所述功能层连接，且所述第一侧面的平均晶粒尺寸小于所述第二侧面的平均晶粒尺寸。本发明能够改善毛边现象。
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公开(公告)号：CN118647132A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410811106.3
申请日：2024-06-21
申请人： 广州方邦电子股份有限公司 , 珠海达创电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种复合金属箔、覆金属层叠板、电子元器件及电路板。复合金属箔包括：第一功能层；温度从25℃上升到150℃的过程中，所述第一功能层的电阻的变化率大于0，且小于60％；和/或，温度从150℃下降到25℃的过程中，所述第一功能层的电阻的变化率大于0，且小于60％。本发明实施例可以用于精细线路板中，实现对细小电子元器件的温度监控。
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公开(公告)号：CN110769674B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN201810852114.7
申请日：2018-07-27
申请人： 广州方邦电子股份有限公司
发明人： 苏陟
IPC分类号： H05K9/00
摘要： 本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法，其中，电磁屏蔽膜包括依次层叠设置的第一屏蔽层、绝缘层、第二屏蔽层和胶膜层，绝缘层上具有孔隙，第一屏蔽层与第二屏蔽层通过孔隙相互接触实现电导通，第二屏蔽层靠近胶膜层的一面为平整表面，且第二屏蔽层靠近胶膜层的一面上设有凸状的导体颗粒，通过设置第一屏蔽层和第二屏蔽层，以实现两次反射高频干扰信号，同时将多余电荷导入地层，从而大大提高了屏蔽效能。
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公开(公告)号：CN116791035B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310792345.4
申请日：2023-06-29
申请人： 广州方邦电子股份有限公司
发明人： 苏陟
IPC分类号： C23C14/20 , C23C14/02 , C23C14/54 , C23C14/35 , H01M4/134 , H05K3/12 , H05K1/02 , H05K1/09 , H05K3/16 , H05K3/14
摘要： 本发明公开了一种金属箔的制备方法。所述金属箔包括第一金属层，所述第一金属层通过真空溅射、蒸发镀和化学镀中的任意一种镀膜方式形成，镀膜次数N1与所述第一金属层的平均方阻R满足如下关系式：R＝(A/σ)*N1‑0.99。本发明实施例可以快速获取金属箔的镀膜次数，提高金属箔的生产效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN117395977B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311553601.0
申请日：2023-11-20
申请人： 广州方邦电子股份有限公司 , 珠海达创电子有限公司
摘要： 本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种电磁屏蔽膜及其应用。一种电磁屏蔽膜，包括屏蔽层，所述电磁屏蔽膜覆盖于线路板后，满足如下公式(1)：R＝A×φ+B×d+C(1)；R为覆盖了电磁屏蔽膜的线路板的接地电阻，mΩ，φ为电磁屏蔽膜的耐接地窗孔径，mm，d为电磁屏蔽膜的耐台阶高度，μm，‑210≤A≤95，‑2≤B≤45，‑154≤C≤350。本发明通过大量的实验发现，电磁屏蔽膜覆盖于线路板上的接地电阻与耐台阶高度、耐接地窗孔径呈正相关，满足上述函数关系的电磁膜屏蔽效果表现良好。
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公开(公告)号：CN114919255B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202210597421.1
申请日：2022-05-27
申请人： 广州方邦电子股份有限公司
IPC分类号： B32B15/20 , B32B15/08 , B32B15/092 , B32B15/082 , B32B15/06 , B32B15/095 , B32B27/28 , B32B27/38 , B32B27/30 , B32B7/12 , B32B3/30 , H05K1/09
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公开(公告)号：CN117650248A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311382202.2
申请日：2023-10-23
申请人： 广州方邦电子股份有限公司 , 东莞市惟实电子材料科技有限公司
IPC分类号： H01M4/80 , H01M4/66 , H01M10/0525
摘要： 本发明实施例公开一种复合金属箔、复合集流体及电池。该复合金属箔包括支撑层和金属层，金属层连接于支撑层的至少一侧；金属层开设有至少一个镂空结构，镂空结构的形状包括椭圆形，且镂空结构满足如下关系式：0.03≤2π*ρ*b/a≤1.2，其中，ρ为所述金属层的克重，b为椭圆形的所述镂空结构的短轴半径，a为椭圆形的所述镂空结构的长轴半径。本发明实施例提供的技术方案解决了电池的正负极的复合金属箔存在断裂拉伸率不足，影响电池的性能和工作寿命的问题。
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公开(公告)号：CN116722150B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310805427.8
申请日：2023-07-03
申请人： 广州方邦电子股份有限公司 , 珠海达创电子有限公司
IPC分类号： H01M4/80 , H01M4/66 , H01M10/0525
摘要： 本发明提供了一种复合箔材及其应用，所述复合箔材包括基底层以及基底层至少一侧表面的导电层，所述复合箔材设置有孔结构，孔的孔径与孔深的比值为1/200≤D/H≤110，其中，D为孔径，H为孔深；本发明所述复合箔材通过具备特定径深比孔结构的设置，减轻了箔材的重量，提高了能量密度，且还提升了箔材的延伸率和剥离力，延伸率的提高，避免了应力集中，提升了电池安全性能；同时，孔结构的设置降低了锂枝晶刺穿隔膜的风险，从而进一步提升了电池的安全性能。
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