一种励磁系统可控硅支路电流检测电路及检测装置

    公开(公告)号:CN117969937A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410120949.9

    申请日:2024-01-29

    Abstract: 本发明公开了一种励磁系统可控硅支路电流检测电路,所述检测电路包括电压信号输入端、放大模块、电压提取模块和单片机;所述电压信号输入端输入三相交流电压其中任意一相两点之间的电压差,所述电压差为毫伏或微伏信号;所述电压提取模块包括正向电压提取电路和负向电压提取电路,所述正向电压提取电路和负向电压提取电路的一端均与所述放大模块连接;所述单片机与电压提取模块连接;其中,电压信号经放大模块进行放大,再通过电压提取模块后经由单片机采样,可得到与交流输入电流对应的正负半波电流值,即可以通过单片机分别计算交流输入电流的正电流和负电流实现可控硅支路电流检测。本发明提供的检测电路成本低,元器件简单,能够解决零点漂移等可靠性问题。

    一种励磁系统可控硅支路电流检测电路及检测装置

    公开(公告)号:CN117969937B

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410120949.9

    申请日:2024-01-29

    Abstract: 本发明公开了一种励磁系统可控硅支路电流检测电路,所述检测电路包括电压信号输入端、放大模块、电压提取模块和单片机;所述电压信号输入端输入三相交流电压其中任意一相两点之间的电压差,所述电压差为毫伏或微伏信号;所述电压提取模块包括正向电压提取电路和负向电压提取电路,所述正向电压提取电路和负向电压提取电路的一端均与所述放大模块连接;所述单片机与电压提取模块连接;其中,电压信号经放大模块进行放大,再通过电压提取模块后经由单片机采样,可得到与交流输入电流对应的正负半波电流值,即可以通过单片机分别计算交流输入电流的正电流和负电流实现可控硅支路电流检测。本发明提供的检测电路成本低,元器件简单,能够解决零点漂移等可靠性问题。

    一种交流励磁装置逆变桥过流检测方法及装置

    公开(公告)号:CN118157524B

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202410293699.9

    申请日:2024-03-14

    Abstract: 本发明公开了一种交流励磁装置逆变桥过流检测方法及装置,包括:确定初始化工作;采样获取转子的三相电流;依次判断三相电流是否大于第一过流保护倍数与电机额定转子电流的乘积;若三相电流的其中一相电流大于第一过流保护倍数与电机额定转子电流的乘积,输出脉冲封锁信号至第一输出端口,并开启第二定时器中断;确定第二定时器中断已开启,依次判断三相电流是否大于第二过流保护倍数与IGBT电流过流保护动作曲线的乘积;若三相电流的其中一相电流大于第二过流保护倍数与IGBT电流过流保护动作曲线的乘积,输出脉冲封锁信号至第二输出端口,输出Crowbar动作信号。本发明在有效避免IGBT损坏时,可最大限度的观察到转子电流情况。

    一种交流励磁装置逆变桥过流检测方法及装置

    公开(公告)号:CN118157524A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410293699.9

    申请日:2024-03-14

    Abstract: 本发明公开了一种交流励磁装置逆变桥过流检测方法及装置,包括:确定初始化工作;采样获取转子的三相电流;依次判断三相电流是否大于第一过流保护倍数与电机额定转子电流的乘积;若三相电流的其中一相电流大于第一过流保护倍数与电机额定转子电流的乘积,输出脉冲封锁信号至第一输出端口,并开启第二定时器中断;确定第二定时器中断已开启,依次判断三相电流是否大于第二过流保护倍数与IGBT电流过流保护动作曲线的乘积;若三相电流的其中一相电流大于第二过流保护倍数与IGBT电流过流保护动作曲线的乘积,输出脉冲封锁信号至第二输出端口,输出Crowbar动作信号。本发明在有效避免IGBT损坏时,可最大限度的观察到转子电流情况。

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