公开(公告)号：CN119738035A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411939581.5

申请日：2024-12-26

Applicant: 广州光电存算芯片融合创新中心

Inventor： 邓少芝 ,  王锡描 ,  陈焕君 ,  许宁生

IPC: G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种单原子层极化激元序构双参量太赫兹器件及制备方法，其中，一种单原子层极化激元序构双参量太赫兹器件，包括：介质衬底、金属电极和序构探测材料；金属电极至少三个，序构探测材料的数量比金属电极的数量少一个；多个金属电极在介质衬底上沿第一方向依次排列；序构探测材料的材质为单原子层二维晶体；序构探测材料包括多个序构条带和设于序构条带两端的连接部，序构条带由多个相同形状的序构基元依次连接而成，多个序构条带在介质衬底上沿第二方向依次分布；每个序构探测材料的序构基元的形状均不同；每个序构探测材料设于序构条带两端的连接部在第一方向上分别连接相邻的两个金属电极；其中，第一方向和第二方向相互垂直。

公开(公告)号：CN119726313A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411925297.2

申请日：2024-12-25

Applicant: 广州光电存算芯片融合创新中心

Inventor： 王锡描 ,  邓少芝 ,  陈焕君 ,  许宁生

IPC: H01S1/00

Abstract: 本发明公开一种二维极化激元序构太赫兹微纳器件的封装方法，涉及二维极化激元序构微纳器件的技术领域。本发明所述封装方法包括以下步骤：将器件的硅衬底层与硅透镜底部键合，得到集成模块；在硅透镜的外侧设置第一金属外壳；在第一金属外壳的外侧设置第二金属外壳，第二金属外壳包括第一金属引脚和第二金属引脚；将源极金属电极、栅极金属电极、漏极金属电极分别与第一金属引脚、第二金属引脚以及第二金属外壳连通；往集成模块和第二金属外壳之间的间隙填充绝缘密封胶；在第二金属外壳的下方设置第三金属外壳。本发明能够实现对新兴二维材料极化激元序构探测器件实现无损封装，并且能够提升器件的光电响应性能、器件的稳定性和寿命等优势。