公开(公告)号：CN118692897A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410700819.2

申请日：2024-05-31

Applicant: 广东美晨通讯有限公司

Inventor： 李国强 ,  钟表 ,  朱宇涵 ,  丁发海 ,  陈志鹏 ,  许锴镔 ,  邓俊华 ,  杨凤珍 ,  张军博

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种AIN薄膜及其制备方法，包括步骤：采用MBE方法在衬底上以第一温度生长AlN种子层，采用PVD方法在AlN种子层上沉积AlN缓冲层，在所述AlN缓冲层上以第二温度进行退火处理得到退火后的AlN退火层，采用MOCVD方法在AlN退火层上以第三温度生长GaN层，在所述GaN层上以第四温度生长AlN外延层。本发明通过利用MBE法在衬底上生长一定厚度的AlN种子层，有效地提升后续PVD法制备的AlN缓冲层晶体质量，同时AlN缓冲层及高温退火能缓解后续GaN层以及顶部AlN外延层的应力，可用于深紫外光发光二极管、射频滤波器等领域。