公开(公告)号：CN102030519B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201010563879.2

申请日：2010-11-30

申请人： 广东特地陶瓷有限公司

发明人： 唐奇 ,  郑树龙 ,  卢斌 ,  刘俊荣 ,  张缇

IPC分类号： C04B35/14 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种防静电陶瓷砖，它是以玻璃相、石英相、顽火辉石相为主体组成的建筑陶瓷砖，其特征在于，所述陶瓷砖中搀杂有半导体氧化物，构成防静电陶瓷砖；该半导体氧化物为二氧化锡、三氧化二锑两种半导体氧化物，该防静电陶瓷砖的原料构成为重量百份比为：15%~27%的粘土、25%~52%的滑石、0%~7%的石英、10%~45%的长石、11%~35%的二氧化锡、1%~9%的三氧化二锑；其化学组成按重量百份比为：SiO2 55-72%、Al2O3 8-17%、Sb2O3 1-9%、SnO2 11-35%、MgO 8-18%、K2O 0.5-5%、Na2O 0.2-6%。本发明还公开了上述防静电陶瓷砖的制备方法。本发明产品具有防火、使用寿命长、防潮、防水、防蛀等特点，且生产方法简单可行，有利于工业化生产。

公开(公告)号：CN102030519A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010563879.2

申请日：2010-11-30

申请人： 广东特地陶瓷有限公司

发明人： 唐奇 ,  郑树龙 ,  卢斌 ,  刘俊荣 ,  张缇

IPC分类号： C04B35/14 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种防静电陶瓷砖，它是以玻璃相、石英相、顽火辉石相为主体组成的建筑陶瓷砖，其特征在于，所述陶瓷砖中搀杂有半导体氧化物，构成防静电陶瓷砖；该半导体氧化物为二氧化锡、三氧化二锑两种半导体氧化物，该防静电陶瓷砖的原料构成为重量百份比为：15%~27%的粘土、25%~52%的滑石、0%~7%的石英、10%~45%的长石、11%~35%的二氧化锡、1%~9%的三氧化二锑；其化学组成按重量百份比为：SiO2 55-72%、Al2O3 8-17%、Sb2O3 1-9%、SnO2 11-35%、MgO 8-18%、K2O 0.5-5%、Na2O 0.2-6%。本发明还公开了上述防静电陶瓷砖的制备方法。本发明产品具有防火、使用寿命长、防潮、防水、防蛀等特点，且生产方法简单可行，有利于工业化生产。