公开(公告)号：CN119681767A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411670188.0

申请日：2024-11-21

Applicant: 广东技术师范大学

Inventor： 卓琳青 ,  单纯 ,  陈彬 ,  曾勇 ,  梅艳芳 ,  杨宇杰

IPC: B24B27/033 ,  G02B6/02 ,  B24B19/22 ,  B24B41/06 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明公开了一种基于双层膜和侧边抛磨钙钛矿光纤的电磁场局域增强结构，包括：侧边抛磨单晶有机金属钙钛矿光纤、单层石墨烯薄膜、三氧化二铝薄膜和二氧化钛薄膜；单层石墨烯薄膜、三氧化二铝薄膜和二氧化钛薄膜逐层设置在侧边抛磨单晶有机金属钙钛矿光纤的抛磨面上方；基于折射率依次增大的三氧化二铝薄膜和二氧化钛薄膜构成的双层膜结构完成侧边抛磨单晶有机金属钙钛矿光纤中光纤模式与单层石墨烯相互作用，实现石墨烯处电磁场局域增强；通过控制沉积在转移有单层石墨烯的侧边抛磨单晶有机金属钙钛矿光纤上三氧化二铝薄膜和二氧化钛薄膜的双层膜厚度，调控石墨烯处电磁场的局域增强效果。本发明能够实现纤芯中传输光场与二维材料高效相互作用，为在钙钛矿光纤上集成高性能的光电探测器、传感器和非线性器件提供了思路。