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公开(公告)号：CN115710701B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202211654207.1
申请日：2022-12-22
Applicant: 广东东硕科技有限公司 , 光华科学技术研究院(广东)有限公司 , 广东光华科技股份有限公司
IPC: C23C18/44
Abstract: 本发明公开了一种化学镀金液，包括以下组分：金离子源0.1‑5g/L，络合剂5‑200 g/L，金离子还原剂1‑50 g/L，稳定剂0.01‑100mg/L；络合剂至少同时包含2种及以上不同的络合剂。本发明通过采用特定的稳定剂以及至少同时包含2种及以上不同的络合剂，使得本发明的化学镀金液具有稳定、低析出风险的优点，从而延长镀金浴的寿命，而且能够明显提升镀金时金沉积的均一性。
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公开(公告)号：CN119194425A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411351275.X
申请日：2024-09-26
Applicant: 光华科学技术研究院(广东)有限公司 , 广东东硕科技有限公司 , 广东光华科技股份有限公司
IPC: C23C18/44
Abstract: 本申请涉及印刷电路板的技术领域，特别是涉及一种化学镀金方法和镀膜基板。所述化学镀金方法包括以下步骤：制备含有纳米贵金属胶体的前处理液；通过浸渍处理使所述纳米贵金属胶体吸附于金属基底之上，形成胶体层；通过化学镀金浴处理在所述胶体层之上沉积形成金镀层；其中，所述纳米贵金属胶体包括纳米金胶体、纳米银胶体和纳米钯胶体中的一种或多种。采用本申请提供的化学镀金方法，能够形成无腐蚀空洞、结合力良好的金属基底‑金镀层界面，并在相同的镀金浴时间内获得厚度更高、均一性更好的金镀层。
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公开(公告)号：CN113737159A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111004311.1
申请日：2021-08-30
Applicant: 广东东硕科技有限公司 , 广东光华科技股份有限公司 , 光华科学技术研究院(广东)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于抑制铜面化学镀渗镀的预浸液及其制备方法和应用。每升所述预浸液包括水，5g～100g的酸性试剂，及0.05g～5g的预浸添加剂；所述酸性试剂为硫酸和/或盐酸；所述预浸添加剂为含氮芳杂环类化合物、脂肪族含氮羧酸类化合物、含硫脂肪酸类化合物、有机胺类化合物中的至少一种。该预浸液能够屏蔽掉施镀面边缘的一价铜离子，从而防止一价铜离子发生歧化反应在施镀面边缘及基材位置生长出铜单质，进而减少活化液中钯离子在施镀面边缘及基材位置与铜的置换反应导致的渗镀问题，或因镍槽活性太强导致的渗镀问题，最终起到降低因渗镀问题导致线路板良品率下降的问题，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115710701A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211654207.1
申请日：2022-12-22
Applicant: 广东东硕科技有限公司 , 光华科学技术研究院(广东)有限公司 , 广东光华科技股份有限公司
IPC: C23C18/44
Abstract: 本发明公开了一种化学镀金液，包括以下组分：金离子源0.1‑5g/L，络合剂5‑200 g/L，金离子还原剂1‑50 g/L，稳定剂0.01‑100mg/L；络合剂至少同时包含2种及以上不同的络合剂。本发明通过采用特定的稳定剂以及至少同时包含2种及以上不同的络合剂，使得本发明的化学镀金液具有稳定、低析出风险的优点，从而延长镀金浴的寿命，而且能够明显提升镀金时金沉积的均一性。
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公开(公告)号：CN113737159B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111004311.1
申请日：2021-08-30
Applicant: 广东东硕科技有限公司 , 广东光华科技股份有限公司 , 光华科学技术研究院(广东)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于抑制铜面化学镀渗镀的预浸液及其制备方法和应用。每升所述预浸液包括水，5g～100g的酸性试剂，及0.05g～5g的预浸添加剂；所述酸性试剂为硫酸和/或盐酸；所述预浸添加剂为含氮芳杂环类化合物、脂肪族含氮羧酸类化合物、含硫脂肪酸类化合物、有机胺类化合物中的至少一种。该预浸液能够屏蔽掉施镀面边缘的一价铜离子，从而防止一价铜离子发生歧化反应在施镀面边缘及基材位置生长出铜单质，进而减少活化液中钯离子在施镀面边缘及基材位置与铜的置换反应导致的渗镀问题，或因镍槽活性太强导致的渗镀问题，最终起到降低因渗镀问题导致线路板良品率下降的问题，具有广泛的应用前景。
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